半导体器件的制作方法
【专利说明】半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2014年6月16日提交的申请号为10-2014-0072959的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]本发明的各种实施例涉及一种半导体设计技术，且更具体而言，涉及一种包括感测放大器的半导体器件。
【背景技术】
[0004]动态随机存取存储器（DRAM)是代表性的易失性存储器件。DRAM的存储器单元中的每个包括单元晶体管和单元电容器。单元晶体管选择单元电容器，并且单元电容器储存与数据相对应的电荷。
[0005]由于电荷因为泄漏成分的缘故而流入单元电容器或者从单元电容器中流出，因此存储器单元要周期性地再次储存相应的数据。周期性地执行以准确保持数据的操作被称作为刷新操作。在刷新操作期间，存储器件以预定的周期在激活模式和预充电模式之间反复。刷新操作执行如下。在激活模式中，存储器单元被选中，且随后位线感测放大器被使能。因而，位线感测放大器感测并放大从选中的存储器单元中传送的数据，然后将数据重新写入存储器单元。在预充电模式中，不选择存储器单元，并且位线感测放大器被禁止。因而，存储器单元保持储存的数据。
[0006]然而，当泄漏成分增加时，存储器单元的数据保持时间、即存储器单元在执行预充电操作之后能够可靠地保持储存在单元电容器中的数据的时间变短。因此，需要用于解决这些问题的技术。
【发明内容】
[0007]本发明的各种实施例针对一种半导体器件，其具有改善的存储器单元的数据保持时间。
[0008]此外，本发明的各种实施例针对一种半导体器件，其可以改善存储器单元的数据保持时间，并且改善在预充电模式中相应的数据线对的预充电时间。
[0009]此外，本发明的各种实施例针对一种半导体器件，其具有改善的将重新写入的数据传送至存储器单元所花费的时间、改善的存储器单元的数据保持时间、以及改善的在预充电模式中相应的数据线对的预充电时间。
[0010]根据本发明的一个实施例，一种半导体器件包括：感测放大块，其适于基于经由上拉电源线供应的上拉驱动电压和经由下拉电源线供应的下拉驱动电压来感测并放大加载在数据线对上的数据；以及电压供应块，其适于在第一模式中，将第一高电压作为上拉驱动电压供应至上拉电源线，并且将第一低电压作为下拉驱动电压供应至下拉电源线，以及在作为第一模式的后续模式的第二模式的初始化时段期间，将第一高电压作为上拉驱动电压供应至上拉电源线，并且将具有比第一低电压的电压电平低的电压电平的第二低电压作为下拉驱动电压供应至下拉电源线。
[〇〇11] 第一模式可以包括将加载在数据线上的数据放大并保持的部分，以及第二模式可以包括利用预定的电压对数据线预充电的时段。
[0012]电压供应块可以在第一模式的初始时段期间供应具有比第一高电压的电压电平高的电压电平的第二高电压作为上拉驱动电压，以及在第一模式的其余时段期间供应第一高电压作为上拉驱动电压。
[0013]电压供应块可以包括：第一上拉驱动单元，其适于在第一模式的初始时段期间，利用第二高电压来驱动上拉电源线；第二上拉驱动单元，其适于在第一模式的其余时段期间，利用第一高电压来驱动上拉电源线；第一下拉驱动单元，其适于在第一模式的初始时段和其余时段期间，利用第一低电压来驱动下拉电源线；以及第二下拉驱动单元，其适于在第二模式的初始时段期间，利用第二低电压来驱动下拉电源线。
[0014]半导体器件还可以包括：第一预充电块，其适于在第二模式的其余时段期间，利用预定的预充电电压对数据线预充电；以及第二预充电块，其适于在第二模式的其余时段期间，利用预充电电压对上拉电源线和下拉电源线预充电。
[0015]预充电电压可以具有与第一高电压的一半相对应的电压电平。
[0016]根据本发明的一个实施例，一种半导体器件包括：感测放大块，其适于基于经由上拉电源线供应的上拉驱动电压和经由下拉电源线供应的下拉驱动电压来感测并放大加载在数据线对上的数据；以及电压供应块，其适于在第一模式中，将第一高电压作为上拉驱动电压供应至上拉电源线，并且将第一低电压作为下拉驱动电压供应至下拉电源线，以及在作为第一模式的后续模式的第二模式的初始时段期间，将具有比第一高电压的电压电平高的电压电平的第二高电压作为上拉驱动电压供应至上拉电源线，并且将具有比第一低电压的电压电平低的电压电平的第二低电压作为下拉驱动电压供应至下拉电源线。
[0017]第一模式可以包括将加载在数据线上的数据放大且保持的时段，以及第二模式可以包括利用预定的电压对数据线预充电的时段。
[0018]电压供应块可以在第一模式的初始时段期间，供应具有比第一高电压的电压电平高、且比第二高电压的电压电平低的电压电平的第三高电压作为上拉驱动电压，以及在第一模式的其余时段期间供应第一高电压作为上拉驱动电压。
[0019]电压供应块可以包括：第一上拉驱动单元，其适于在第一模式的初始时段期间，利用第三高电压来驱动上拉电源线；第二上拉驱动单元，其适于在第一模式的其余时段期间，利用第一高电压来驱动上拉电源线；第三上拉驱动单元，其适于在第二模式的初始时段期间，利用第二高电压来驱动上拉电源线；以及第二下拉驱动单元，其适于在第二模式的初始时段期间，利用第二低电压来驱动下拉电源线。
[0020]半导体器件还可以包括：第一预充电块，其适于在第二模式的其余时段期间，利用预定的预充电电压对数据线预充电；以及第二预充电块，其适于在第二模式的其余时段期间，利用预充电电压对上拉电源线和下拉电源线预充电。
[0021 ] 预充电电压可以具有与第一高电压的一半相对应的电压电平。
[0022]根据本发明的一个实施例，一种半导体器件包括：位线对，其包括位线和互补位线；存储器单元，其与位线和互补位线之间的一个位线耦接；感测放大块，其适于基于经由上拉电源线供应的上拉驱动电压和经由下拉电源线供应的下拉驱动电压来感测并放大加载在位线上的数据；第一上拉驱动块，其适于在预充电模式的初始时段期间，利用升高的电压来驱动上拉电源线；第一下拉驱动块，其适于在预充电模式的初始时段期间，利用负电压来驱动下拉电源线；以及第一预充电块，其适于在预充电模式的其余时段期间，利用预定的预充电电压对位线预充电。
[0023]半导体器件还可以包括：第二上拉驱动单元，其适于在激活模式的初始时段期间，利用具有比升高的电压的电压电平低的电压电平的电源电压来驱动上拉电源线；第三上拉驱动单元，其适于在激活模式的其余时段期间，利用具有比电源电压的电压电平低的电压电平的内部电压来驱动上拉电源线；以及第二下拉驱动单元，其适于在激活模式的初始时段和其余时段期间，利用具有比负电压的电压电平高的电压电平的接地电压来驱动下拉电源线。
[0024]预充电电压可以具有与内部电压的一半相对应的电压电平。
[0025]内部电压可以包括核心电压，以及预充电电压包括位线预充电电压。
[0026]半导体器件还可以包括：第二预充电块，其适于在预充电模式的其余时段期间，利用预充电电压对上拉电源线和下拉电源线预充电。
【附图说明】
[0027]图1是图示半导体器件的框图。
[0028]图2是用于描述图1中所示的半导体器件的操作的时序图。
[0029]图3是用于描述根据图1中所示的半导体器件的操作的位线对的电压电平变化的波形图。
[0030]图4是图示根据本发明的一个实施例的半导体器件的框图。
[0031]图5是用于描述图4中所示的半导体器件的操作的时序图。
[0032]图6是用于描述根据图4中所示的半导体器件的操作的位线对的电压电平变化的波形图。
【具体实施方式】
[0033]在下文中，参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。然而，本发明可以用不同的方式实施，而不应解释为限制于本文所列的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开充分与完整，并向本领域