存储器拼片存取和选择模式的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施例总体上涉及集成电路且更具体来说涉及例如存储器装置的集成电路的存储器拼片存取和选择模式。
【背景技术】
[0002]存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻性存储器和快闪存储器等等。电阻性存储器的类型包含相变存储器、可编程导体存储器和电阻性随机存取存储器(RRAM)等等。存储器装置用作需要高存储器密度、高可靠性和无电力时的数据保持能力的多种多样的电子应用的非易失性存储器。非易失性存储器可以用于例如个人计算机、便携式存储棒、固态驱动器(SSD)、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器例如MP3播放器、影片播放器和其它电子装置。不同电阻性存储器装置可包含组织成交叉点架构的单元阵列。在此类架构中，存储器单元可包含单元堆叠，其包括存储组件，例如相变元件，所述存储组件与选择装置串联在一对导电线之间(例如存取线与数据/感测线之间)，所述选择装置例如是切换元件，例如双向阈值切换器(0TS)或二极管。存储器单元位于例如字线和位线的两条导电线的交叉点处，并且可以经由对其施加适当电压而被“选择”。
【附图说明】
[0003]说明书的结尾部分具体指出并且明确要求所要求的主题。然而，关于组织和/或操作方法以及其对象、特征和/或优点两方面，可以通过在与随附图式一起阅读时参考以下详细说明来被最佳地了解，在这些随附图式中:
[0004]图1是描绘存储器拼片的实例存储器阵列的一部分的透视图的图示。
[0005]图2是描绘用于在实例存储器阵列的边缘将字线和位线连接到其驱动器的套接区域的图示。
[0006]图3是描绘实例存储器装置的框图的图示。
[0007]图4是描绘用于选择存储器阵列的存储器位置的实例过程的图示。
[0008]图5是描绘用于选择存储器阵列的存储器位置的另一实例过程的图示。
[0009]图6是描绘用于根据存取模式选择存储器阵列的存储器位置的过程的图示。
[0010]图7是描绘用于选择和存取存储器拼片的存储器位置的实例存取模式的图示。
[0011]图8是描绘用于将地址从一个地址空间转换到另一地址空间的拼片映射器或定序器800的图不。
[0012]以下详细描述中参考附图，附图形成详细描述的一部分，其中通篇中相同数字可以标明相同部分以指示对应或类似元件。应了解，为图示简单和/或清晰起见，图中说明的元件未必按比例绘制。举例来说，为清楚起见，可相对于其它元件夸大一些元件的尺寸。此夕卜，应理解可以利用其它实施例。此外，在不脱离所要求的主题的范围的情况下，可以进行结构性和/或逻辑改变。还应当指出，方向和/或参考(例如上、下、顶部、底部等)可以用于便于论述图式，并且并不希望限制所要求的主题的应用。因此，以下详细描述并不应理解为限制所要求的主题和/或等效物的范围。
【具体实施方式】
[0013]在以下详细描述中，阐述众多具体细节以提供对所要求的主题的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些具体细节的情况下实践所要求的主题。在其它情况下，未详细描述所属领域的一般技术人员已知的方法、设备和/或系统以便不会混淆所要求的主题。
[0014]
[0015]存储器装置可以利用包括交叉点阵列的存储器拼片来高效地存储和检索数据。这些存储器装置可包含多个存储器拼片，其中一个包括多个存储组件(例如数千个存储组件)的存储器拼片阵列布置成阵列结构。每一存储器拼片可以包含交叉点阵列并且由一组地址限定，其中一个地址唯一地识别存储器拼片的一个存储组件。通过施加电压到对应于各个存储组件的数字线导体和存取线导体，可以从存储器拼片中选择存储器拼片的存储组件。接着可以通过与存储组件相关联的存取电路来存取所选的存储组件。
[0016]令人遗憾的是，存储器拼片中的许多交叉点阵列会遭受干扰效应。干扰效应可以包含一些效应，其中选择和/或存取交叉点阵列的一个存储组件，会不利地影响存储器装置在后续时间周期或存取事件内成功地选择和/或存取相同交叉点阵列的存储组件的能力。举例来说，当交叉点阵列的存储组件部分地由硫族化合物形成时，交叉点阵列可能展现出阈值恢复效应，使得选择一个交叉点阵列的存储组件，会阻碍选择连接到相同交叉点阵列的相同数字或存取线导体的存储组件，直到存储组件的阈值基本上恢复到初始阈值为止。先前选择的存储组件的状态可能必须从选择等级转变成未选等级，并且先保持在未选状态一段时间，然后才可以成功地选择连接到相同数字或存取线导体的存储组件。作为干扰效应的另一实例，选择一个交叉点阵列的存储组件，可能会产生与相同交叉点阵列的在所选存储组件或和/或数字或存取线导体的一段距离内的其它存储组件和/或数字或存取线导体的耦合效应。耦合效应可能导致不当地选择存储组件或不正确地存取存储组件。作为干扰效应的另一个实例，选择存储组件可能会引发温度的局部临时增加。这个温度增加可能会影响一或多个存储组件的适当选择和操作。
[0017]为了管理存储器拼片的交叉点阵列中的干扰效应，一些存储器装置选择和存取一个存储器拼片的一个存储组件，并且接着移动到选择和存取不同存储器拼片的一个存储组件。这些存储器装置继续连续(例如，由于连续一或多个时钟脉冲)选择和存取多个不同存储器拼片的一个存储组件，直到最终返回到存取先前存取的存储器拼片的存储组件为止。然而，这种方法可能会限制存储器装置的效率和性能，这是因为从选择和存取一个存储器拼片转变成选择和存取下一个存储器拼片，可能会造成开销(例如，使用额外电路组件)和存储器存取等待时间。此外，从选择和存取一个存储器拼片转变成选择和存取下一个存储器拼片可能会消耗能量。
[0018]因此，在本发明的一些实施例中，提供能实现单个存储器拼片内的连续(例如，由于一或多个连续时钟脉冲)选择和存取的选择和存取序列。选择和存取序列有助于高性能存储器装置操作(例如，感测、复位脉冲、预调节脉冲等等)，方法是通过沿非邻近模式(例如，比如对角线模式)给单个存储器拼片的存储组件的选择和存取排序。所述选择和存取序列可以选择成能实现单个存储器拼片的完整覆盖，同时考虑到因为选择和存取各个存储组件而导致的干扰效应。在干扰效应导致的等待时间周期已经过去之后，可以选择单个存储器拼片的邻近位置。
[0019]在本公开的其它实施例中，公开了一种设备，例如存储器装置。所述设备包含多个存储器拼片和选择电路。每一存储器拼片在多个数字线导体与多个存取线导体的交叉点处具有存储组件阵列。所述选择电路包含线路驱动器，其基于到存储器拼片的存储组件的对应数字线导体和对应存取线导体来选择所述存储组件。所述选择电路可以先用连续方式选择一个存储器拼片的两个或更多个存储组件，然后选择不同存储器拼片的存储组件。在一些实施方案中，可以与选择所述存储器拼片的两个或更多个存储组件并行地选择不同存储器拼片的存储组件。
[0020]在本公开的另外的实施例中，一种例如存储器装置的设备包含控制器以及经配置以存储存储器地址的存储器。所述控制器根据与多个存储器拼片的存储组件的数字线导体和存取线导体相关联的存储器地址来切换多个切换装置以选择所述存储组件。每一存储器拼片在多个数字线导体和多个存取线导体的交叉点处具有唯一地可寻址的存储组件的阵列。所述控制器至少部分地基于先前选择的存储器地址来确定要用多个切换装置选择的下一个存储器地址，并且将所述下一个存储器地址存储在存储器中。所述控制器可以先连续选择一个存储器拼片的两个或更多个存储组件，然后选择不同存储器拼片的存储组件。
[0021]在本公开的另外其它实施例中，公开了一种操作存储器装置的方法。所述方法包含确定多个存储器拼片中的一个存储器拼片的存储位置的存储器地址。存储器地址中的每一个具有对应数字线导体和对应存取线导体，并且每一存储器拼片在多个数字线导体和多个存取线导体的交叉点处包含存储组件阵列。此外，所述方法包含选择到所述所确定的存储位置的存储器地址的对应数字线导体和对应存取线导体以存取存储器拼片的存储位置。可以先选择一个存储器拼片的至少两个或更多个存储组件，然后选择不同存储器拼片的存储组件。
[0022]系统概沐
[0023]例如集成电路存储器装置的集成电路包含通常建构在衬底上的多层材料。材料层包含导电金属层，也被称作金属等级，其将电路装置互连起来。集成电路中的金属等级的细长导电线包含互连件以及电极，其充当半导体装置的电极(例如，用于寻址存储器单元的存取线和数字线，其可包含切换器和/或存储器存储组件-存取线和数字线还可以被称作字线和位线)。由相同竖直等级的一个层或多个层形成的导电线可以统称为金属等级，并且所述线可以称为金属线或导线，即使所述材料可能是由非金属导体例如掺杂半导体层(例如，多晶硅)或金属合金例如金属氮化物、金属碳化物和金属硅化物形成时也是如此。形成于金属等级之间的触点可以被称作竖直连接件。此类竖直连接件可以由它们连接的导电线分别形成，或者可以在双重镶嵌工艺中用上覆导电线同时形成。
[0024]本文中提高存