剪叉式传感器结构704、706之上。
[0081]如以上在其它实施例中所述的，拖尾磁屏蔽712包括顶部716和底部718，顶部716和底部718可以包括相同、类似或不同的材料、成分、尺寸等，取决于期望的实施例。
[0082]暂时参见图7B，第一和第二剪叉式传感器结构704、706的每个可以包括通过阻挡层726而与第二自由层724分开的第一自由层722。阻挡层726优选地包括MgO或传统的隧道阻挡材料，但是不限于此。而且，第一和第二自由层722、724可以为本领域技术人员在阅读本说明书时将意识到的传统结构。
[0083]此外，参见第一和第二偏置结构708、710，这些偏置结构沿着垂直于面对介质的表面701的方向位于相应的第一和第二剪叉式传感器结构704、706的后面。换言之，第一和第二剪叉式传感器结构704、706沿着垂直于面对介质的表面701的方向定位得比第一和第二偏置结构708、710更靠近面对介质的表面701。
[0084]而且，如所示的，系统700、750都不包括与剪叉式传感器结构704、706中的任一个相邻的侧磁屏蔽。第一和第二后偏置结构708、710能够充分地磁偏置剪叉式传感器结构704、706，而与任何侧磁屏蔽的存在无关。因此，在各种方案(其绝不旨在限制本发明)中，某些系统700、750可以不具有与剪叉式传感器结构704、706的任一个位于相同的平面内的侧偏置层和/或侧磁屏蔽，所述平面定向为垂直于面对介质的表面以及磁带行进的方向(即，沿着高度-宽度(Η-W)平面)。然而，可以存在后偏置结构，例如图7B的708和710。
[0085]现在具体参照图7C，系统750包括位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间的中间磁屏蔽752。根据不同的方案，中间磁屏蔽752可以包括上述的任何材料、成分、尺寸等，取决于期望的实施例。在示范性实施例(其绝不旨在限制本发明)中，中间磁屏蔽752可以包括NiFe。
[0086]作为将中间磁屏蔽752置于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间的结果，第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间在介质相对于其行进的预期方向720上的距离D3可以小于约60nm，更优选地小于约50nm，但是可以根据期望的实施例而更高或更低。
[0087]可选地，现在参见图7A，系统700不包括位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间的中间磁屏蔽。因此，在一种方案(其绝不旨在限制本发明)中，可以说，系统700可以具有限制条件，即没有磁屏蔽位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间。然而，在其它的方案中，例如，取决于期望的实施例，不同的层和/或结构可以位于第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间。
[0088]与如系统750中可见的距离D3相比，在介质相对其行进的预期方向720上，图7A的第一和第二剪叉式传感器结构704、706之间的距离D2可以小于约20nm，但是可以更高或更低。
[0089]此外，在某些实施例中，凹口层可以位于第二剪叉式传感器结构706和拖尾磁屏蔽712之间。如上所述，凹口层优选地包括磁性材料，例如用于有效实现磁偏置拖尾磁屏蔽712的磁延伸。因此，有效的读间隙(前端磁屏蔽702和拖尾磁屏蔽712之间的分隔)被期望地减小。
[0090]应当指出，这里给出的用于至少某些不同实施例的方法可以全部或部分地实施为计算机硬件、软件、人工(by hand)、利用专业设备等或者其结合。
[0091]而且，任何的结构和/或步骤可以利用已知的材料和/或技术来实施，如对于本领域技术人员在阅读本说明书时将变得明显的。
[0092]这里公开的发明构思已经通过示例的方式给出以说明其在多个说明性的情形、实施例和/或实施中的许多特征。应当理解，通常所公开的构思将被认为是模块化的，并可以以其任何组合、置换或合成来实施。此外，本领域普通技术人员在阅读本说明书时将意识到的对当前公开的特征、功能和构思的任何修改、替换或等同物也应当被认为在本公开的范围内。
[0093]尽管以上已经描述了各个实施例，但是应当理解，它们仅通过示例的方式给出，而不是限制。因此，本发明的实施例的广度和范围不应受到上述示范性实施例的任一个限制，而是应当仅根据权利要求书及其等同物来限定。
【主权项】
1.一种系统，包括: 前端磁屏蔽； 第一传感器结构，在所述前端磁屏蔽之上； 第一中间磁屏蔽，在所述第一传感器结构之上； 非磁间隔物，在所述第一中间磁屏蔽之上； 第二中间磁屏蔽，在所述非磁间隔物之上； 第二传感器结构，在所述第二中间磁屏蔽之上； 拖尾磁屏蔽，在所述第二传感器结构之上。2.如权利要求1所述的系统，其中所述第一传感器结构和所述第二传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于约60nm。3.如权利要求1所述的系统，其中所述第一传感器结构和所述第二传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于50nm。4.如权利要求1所述的系统，包括:侧磁屏蔽，在垂直于介质相对其行进的预期方向的方向上位于所述第一传感器结构的相反两侧；以及钉扎层，邻近每个所述侧磁屏蔽用于钉扎所述侧磁屏蔽中的相关一个的磁取向。5.如权利要求4所述的系统，其中所述第二中间磁屏蔽的下表面具有用于容纳所述钉扎层的切除部分。6.如权利要求1所述的系统，包括位于所述第一中间磁屏蔽和所述第二中间磁屏蔽之间的绝缘层。7.如权利要求1所述的系统，包括位于所述第二传感器结构和所述拖尾磁屏蔽之间的凹口层，所述凹口层包括磁材料。8.如权利要求7所述的系统，其中所述凹口层在其面对介质的表面处的宽度不比所述第二传感器结构在其面对介质的表面处的宽度宽。9.如权利要求1所述的系统，其中所述第二中间磁屏蔽具有比所述第一中间磁屏蔽更长的高度。10.如权利要求1所述的系统，还包括: 磁介质； 驱动机构，用于使磁介质经过所述传感器结构；以及 控制器，电联接到所述传感器结构用于控制其操作。11.一种系统，包括: 第一剪叉式传感器结构，在前端磁屏蔽之上； 第一偏置结构，在所述第一剪叉式传感器结构的后面； 第二剪叉式传感器结构，在所述第一剪叉式传感器之上；以及 第二偏置结构，在所述第二剪叉式传感器结构的后面。12.如权利要求11所述的系统，其中所述第一剪叉式传感器结构和所述第二剪叉式传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于约60nm。13.如权利要求11所述的系统，其中所述第一剪叉式传感器结构和所述第二剪叉式传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于50nm。14.如权利要求11所述的系统，包括位于所述第一剪叉式传感器结构和所述第二剪叉式传感器结构之间的中间磁屏蔽。15.如权利要求11所述的系统，具有限制条件即没有磁屏蔽位于所述第一和第二剪叉式传感器结构之间。16.如权利要求15所述的系统，其中所述第一和第二剪叉式传感器结构之间在介质相对其行进的预期方向上的距离小于约20nm。17.如权利要求11所述的系统，具有限制条件即没有侧偏置层设置在与所述剪叉式传感器结构中的任一个相同的平面内，所述平面定向为垂直于面对介质的表面和磁带行进的方向。18.如权利要求11所述的系统，具有限制条件即没有侧磁屏蔽设置在与所述剪叉式传感器结构中的任一个相同的平面内，所述平面定向为垂直于面对介质的表面和磁带行进的方向。19.如权利要求11所述的系统，包括位于所述第二剪叉式传感器结构和拖尾磁屏蔽之间的凹口层，所述凹口层包括磁材料。20.如权利要求11所述的系统，还包括: 磁介质； 驱动机构，用于使所述磁介质经过所述传感器结构；以及 控制器，电联接到所述传感器结构用于控制其操作。
【专利摘要】根据一个实施例，一种系统包括前端磁屏蔽、在前端磁屏蔽之上的第一传感器结构、在第一传感器结构之上的第一中间磁屏蔽、在第一中间磁屏蔽之上的非磁间隔物、在非磁间隔物之上的第二中间磁屏蔽、在第二中间磁屏蔽之上的第二传感器结构以及在第二传感器结构之上的拖尾磁屏蔽。其它的系统、方法和计算机程序产品在其它的实施例中描述。
【IPC分类】G11B5/39, G11B5/60
【公开号】CN105390145
【申请号】CN201510518493
【发明人】Z.高, L.关, K.S.霍, S.宋, S.王
【申请人】Hgst荷兰公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年8月21日
【公告号】EP2988303A1, US20160055868