具有凹进区的近场换能器的制造方法
【专利说明】具有凹进区的近场换能器
[0001]相关专利文献
[0002]本申请要求在2014年11月11日提交的临时专利申请号第62/078，064的权益，依据35 U.S.C§119(e)要求对其的优先权，并且其通过引用整体结合在此。
【发明内容】
[0003]实施例涉及一种装置，其包括位于或接近该装置的空气轴承表面且配置为便于在介质上进行热辅助磁记录的近场换能器。该近场换能器包括含有等离子体(plasmonic)材料且具有接近该空气轴承表面的第一端的放大区。该近场换能器还包括邻近该放大区且具有邻近该空气轴承表面的第一端的磁盘区。该磁盘区包括等离子体材料。栓柱(peg)区从该磁盘区的第一端延伸且终止于该空气轴承表面处或附近。该近场换能器还包括相对于该栓柱区而凹进的区域。该凹进区位于该栓柱区和该放大区的第一端之间。
[0004]各种实施例涉及一种装置，其包括位于或接近该装置的空气轴承表面且配置为便于在所包括的介质上进行热辅助磁记录的近场换能器。该近场换能器包括含有等离子体(plasmonic)材料且具有接近该空气轴承表面的第一端以及与第一端相反的第二端的放大区。磁盘区，包括等离子体材料，位于邻近该放大区处且具有接近该空气轴承表面的第一端和与第一端相反的第二端。该磁盘区的第一端包括在该空气轴承表面处或附近的突出部。栓柱区从该磁盘区的第一端的突出部延伸且终止于该空气轴承表面处或附近。该近场换能器还包括相对于该栓柱区凹进的区域。该凹进区位于该栓柱区和该放大区的第一端之间。
[0005]其他实施例涉及一种装置，其包括配置为便于在介质上进行热辅助磁记录的滑块。该滑块包括写入器、读出器、光波导和接近该波导和写入器的近场换能器。该近场换能器包括具有朝向介质面对方向的第一端和相反的第二端的放大区。该放大区包括等离子体材料。该近场换能器还包括磁盘区，其包括等离子体材料，邻近该放大区，且具有朝向该介质面对方向的第一端和相反的第二端。该磁盘区的第一端包括突出部。栓柱区从该磁盘区的第一端的突出部延伸且朝向该介质面对方向。该近场换能器还包括相对于该栓柱区凹进的区域。该凹进区位于该栓柱区和该放大区的第一端之间。
[0006]以上
【发明内容】
并不是旨在描述本公开的每个所揭示的实施例或每个实施方式。下面的附图和具体描述更具体地说明示例性实施例。
【附图说明】
[0007]在下面的图表中，相同的附图标记可用于标识多个图中相似/相同/类以的组件。
[0008]图1是根据代表性实施例的滑块组件的透视图；
[0009]图2是根据代表性实施例的滑块组件的横截面图；
[0010]图3描述了具有传统NTS(近场换能器球场(stadium)风格)设计的近场换能器(NFT)；
[0011]图4根据各种实施例描述了具有NTS设计的NFT;
[0012]图5根据各种实施例描述了具有NTS设计的NFT;
[0013]图6根据各种实施例描述了具有NTS设计的NFT;
[0014]图7是根据各种实施例示出在由具有NTS设计的NFT生成的磁记录介质上的热点的介质热分布；
[0015]图8是根据各种实施例将热梯度示出为栓柱厚度的函数的图表；
[0016]图9是根据各种实施例将栓柱温度示出为栓柱厚度的函数的图表；
[0017]图10是根据各种实施例将效率示出为栓柱厚度的函数的图表；
[0018]图11是根据各种实施例将邻近轨迹擦除示出为栓柱厚度的函数的图表；
[0019]图12是根据各种实施例将热梯度示出为栓柱长度的函数的图表；
[0020]图13是根据各种实施例将栓柱温度示出为栓柱长度的函数的图表；
[0021]图14是根据各种实施例将效率示出为栓柱长度的函数的图表；
[0022]图15是根据各种实施例将交叉轨迹擦除示出为栓柱长度的函数的图表；
[0023]图16是根据各种实施例将下行轨迹擦除示出为栓柱长度的函数的图表;以及
[0024]图17是根据各种实施例将邻近轨迹擦除示出为栓柱长度的函数的图表。
[0025]上述附图不必成比例。尽管图中所用的类似标号涉及类似的组件，要明白使用标号涉及给定附图中的组件不是旨在限制在另一个图中由相同标号标记的组件。
【具体实施方式】
[0026]在下面的说明书中，参考组成说明书一部分的所附图集并且在其中通过描述若干具体实施例来示出。要明白的是其他实施例是预期的并且可被实施而不背离本公开的范围。因此下面的详细描述不能被当作限制的意思。
[0027]除非另有说明，在说明书和权利要求中使用的表示特征尺寸、数量和物理属性的所有数字被理解为能在所有的示例中由术语“大约”修改。因此，除非有相反的表示，在之前说明书和附属权利要求中阐述的数字参数是近以值，其可依赖于由本领域技术人员利用在此公开的教导所寻求以获取的预期属性而改变。端点所使用的数值范围包括在那个范围内(例如，I至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)的所有数字以及在那个范围内的任何范围。如在此使用的，术语“大体上”意味着在其中少数百分比以内。因此，术语“大体上横向”意味着在垂直方向的几度内。
[0028]本公开一般地涉及关于热辅助磁记录(HAMR)、有时被称作为热辅助磁记录(TAMR)的装置、系统、方法和技术。HAMR数据存储介质使用高磁矫顽力，其能克服当前限制传统硬盘驱动介质的面数据密度的超顺磁效应(例如，热感应、随机、磁导向上的改变)。
[0029]这里描述的实施例涉及一种装置，其包括位于或接近该装置的空气轴承表面且配置为便于在介质上进行热辅助磁记录的近场换能器。该NFT包括具有接近该空气轴承表面的第一端的放大区，该放大区包括或由等离子体材料形成。该NFT还包括邻近该放大区具有邻近该空气轴承表面的第一端的磁盘区，该磁盘区包括或由等离子体材料形成。栓柱区从该磁盘区的第一端延伸且终止在或接近于该空气轴承表面。该NFT包括接近该栓柱区域且位于该栓柱区和放大区之间的凹进区。
[0030]本公开的实施例涉及定义在栓柱区和写入极点之间的NPS区(NFT至磁极的间距)中具有减少的等离子体材料的NFT(相对于传统NFT) JPS区中等离子体材料的减少提供了在写磁极和栓柱区之间的生成了介质的背景加热的光磁场的伴随减少，其未预期地减少栓柱区域的热梯度。根据各种公开的实施例，NPS区中光磁场的预期减少(并且因此栓柱区中的热梯度增加)可由栓柱区和NFT的放大散热片区之间提供的凹进(例如，空间、凹口、腔或空缺，这里被一般性地称作为凹进区)而获得。
[0031]根据各种实施例，调整NFT的凹进区的大小以便于增加相对于缺少凹进区的相同的NFT的热梯度(例如，wTG或下行轨迹热梯度)。在其他实施例中，调整NFT的该凹进区和该栓柱区的尺寸以便于热梯度的增长，而相对于缺少凹进区的相同的NFT没有任何或可感知(例如，不超过约3、4或5°K)的栓柱温度的增长。在其他实施例中，调整NFT的凹进区和栓柱区的尺寸以便于增加热梯度而相对于缺少凹进区的相同的NFT不可感知的增加栓柱温度或减少效率。在某些实施例中，调整NFT的凹进区便于增加热梯度而相对于缺少凹进区的相同的NFT不可感知的增加临近轨迹擦除(Adjacent-Track Erasure ,ATE)、交叉轨迹擦除(Cross-Track Erasure，CTE)以及下行轨迹擦除(Down-Track Erasure ,DTE) ο
[0032]正如这里描述的具有接近栓柱区域的凹进区的NFT的实施例在保持好的可靠性(例如，在栓柱温度、效率、ATE、CTE或DTE方面没有可感知的困难)的同时提供了增长的性能(例如，在介质上更多限制的热梯度)AAMR读/写元件，有时被称作为滑块或读/写磁头，可包括类似于在当前硬盘驱动上的那些磁性读和写换能器。例如，数据可由磁阻换能器读取，磁阻换能器在其移动到换能器下面的时候检测磁介质的磁波动。数据可由磁性地耦合至写线圈的写磁极写至磁介质。当介质移动至该写磁极下面时，该写磁极在介质区域中改变磁导向。HAMR滑块还包括或耦合至能量源，例