技术总结
本发明实施例公开了一种半导体集成器件及其制作方法，该器件包括：有源区和多个浅槽隔离区，第一浅槽隔离区表面内具有一开口；位于开口底部和侧壁的隔离层；位于隔离层表面上的电阻；位于有源区表面上的金属栅极；电阻上表面低于所述金属栅极的上表面，下表面低于有源区表面，电阻与有源区电性绝缘。本发明通过在第一浅槽隔离区内形成开口，使开口的底面低于有源区表面，将电阻设置在所述开口内，在电阻结构形成后再形成伪栅，通过控制所述开口的深度，使电阻的阻值满足设计要求的基础上，控制伪栅表面高于电阻表面，避免了在第一介质层平坦化以及金属栅层平坦化过程中损伤到电阻表面，使电阻的阻值满足设计要求，提高了半导体集成器件的良率。
技术研发人员：洪中山
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201210141561
技术研发日：2012.05.08
技术公布日：2016.12.14