技术总结
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极，所述栅极覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁；形成覆盖所述鳍部和所述栅极的侧墙材料层；对覆盖所述鳍部的侧墙材料层进行离子注入，形成改质侧墙材料层，所述改质侧墙材料层的刻蚀速率大于所述侧墙材料层的刻蚀速率；去除覆盖所述鳍部的改质侧墙材料层和位于所述栅极顶表面的侧墙材料层，形成位于所述栅极两侧的侧墙。本发明的鳍式场效应晶体管的形成方法在形成侧墙时，不会在鳍部的底部两侧残余侧墙材料，有利于提高晶体管性能。
技术研发人员：三重野文健
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201310093717
技术研发日：2013.03.21
技术公布日：2017.05.17