背照式图像传感器及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种背照式图像传感器，包括：硅片层，其包括用于感光产生电信号的光电二极管，所述硅片层具有正表面和背表面；后端层，其设置于所述硅片层的正表面，所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层；入光层，其包括微透镜层和滤光膜层，所述入光层设置于所述硅片层背表面；其特征在于，所述后端层还包括：吸光层，其设置于所述后端层预设位置，所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线，其中所述吸光层与所述介电层为同一结构层，即所述介电层采用吸光材料构成从而使所述介电层具有绝缘功能的同时又具有吸光功能。2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层设置于所述光电二极管所处位置的硅片层正表面下方，所述吸光层横截面的面积不小于所述光电二极管横截面的面积。3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光材料是对所述传感器的探测波段光吸收率为50％-100％的材料。4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光材料为三氧化铬。5.一种制作背照式图像传感器的方法，包括：制作包括光电二极管与晶体管电路的硅片层，所述硅片层具有正表面和背表面；制作后端层，所述后端层形成于所述硅片层的正表面，所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层；在所述后端层预设位置形成吸光层；在所述硅片层的背表面制作包括滤光膜层以及微透镜层的入光层，其中在制作吸光层步骤中，所述吸光层与所述介电层作为同一结构层，即所述介电层采用吸光材料构成从而使所述介电层具有绝缘功能的同时又具有吸光功能。6.根据权利要求5所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，所述吸光层设置于所述光电二极管所处位置的硅片层的正表面下方，所述吸光层横截面的面积不小于所述光电二极管横截面的面积。7.根据权利要求5所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，所述吸光材料采用是对所述传感器的探测波段光吸收率为50％-100％的材料。8.根据权利要求5所述的制作背照式图像传感器的方法，其中，所述吸光材料采用三氧化铬。