1.一种浅沟槽结构的清洗方法，所述浅沟槽结构包括衬底，位于所述衬底中的浅沟槽，以及位于所述衬底上的介质掩膜层，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：
对所述浅沟槽结构进行第一次清洗，以去除所述浅沟槽中的残留物；
采用磷酸溶液对所述第一次清洗后的所述浅沟槽结构进行第二次清洗。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述磷酸溶液中H3PO4的体积分数为40％～70％。
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述第二次清洗的步骤中，所述磷酸溶液的温度为20～80℃，清洗时间为1～5min。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的清洗方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液进行所述第一次清洗。
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中HF的体积分数为10％～30％。
6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗的步骤中，所述氢氟酸溶液的温度为20～50℃，清洗时间为1～3min。
7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述介质掩膜层包括依次形成于所述衬底上的SiO2层和Si3N4层。
8.一种隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
形成浅沟槽结构，所述浅沟槽结构包括衬底，位于所述衬底中的浅沟槽，以及位于所述衬底上的介质掩膜层；
采用权利要求1至7中任一项所述的清洗方法对所述浅沟槽结构进行清洗；
在清洗后的所述浅沟槽中形成隔离层。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述浅沟槽结构的步骤包括：
在所述衬底上形成介质掩膜预备层；
依次刻蚀所述介质掩膜预备层和所述衬底以形成所述浅沟槽，并将剩余的所述介质掩膜预备层作为所述介质掩膜层。
10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，形成所述隔离层的步骤包括：
在所述浅沟槽的内壁上形成线性氧化物层；
在所述浅沟槽中形成隔离材料层，所述线性氧化物层和隔离材料层构成所述隔离层。
11.一种半导体器件，包括隔离结构，其特征在于，所述隔离结构由权利要求8至10中任一项所述的制作方法制作而成。