技术总结
半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上垂直突起，沿第一方向延伸；源漏区，形成在每个鳍片结构的沿第一方向的两端；沟道区，包含多个纳米线，沿第一方向连接在源漏区之间；栅极堆叠结构，沿第二方向延伸，包围了每个纳米线。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片状源漏区之间形成纳米线的沟道，节省了工艺成本，降低了工艺复杂度，并有效提高栅控能力和器件密度。
技术研发人员：秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超;
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所;
技术研发日：2014.12.19
技术公布日：2016.07.13