技术总结
本发明公开了一种实现均匀排气的等离子体处理装置，包括至少两个等离子体处理腔室，每个所述等离子体处理腔室底部中心位置设置支撑基片的基座，每个所述等离子体处理腔室分别设有排气区域，所述排气通道互相连通；至少一个排气泵，与所述排气区域相连接；至少两个等离子体约束装置，分别环绕设置在所述基座的外围，所述等离子体约束装置包括一大致呈环状的导流主体和设置在所述导流主体上的若干气体通道，通过设置所述等离子体约束装置靠近所述排气泵一侧的所述气体通道长度大于等离子体约束装置其余部分的气体通道长度，以实现将用过的反应气体及副产物气体均匀的排出反应腔，保证等离子体处理区域内气流分布的均匀性，最终实现半导体基片刻蚀的均匀性。
技术研发人员：姜银鑫;张辉
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）有限公司
技术研发日：2014.12.26
技术公布日：2018.10.09