1.一种双极型晶体管，其特征在于，包括基板；
所述基板中形成具有第一导电类型的第一区域、具有第二导电类型的第二区域以及具有第一导电类型的第三区域，所述第二区域环绕设于所述第一区域的外围，所述第三区域环绕设于所述第二区域的外围；其中，
一绝缘区域从所述第三区域的一侧向另一侧延伸，以将所述第一区域和所述第二区域均隔离为两个相对独立的部分，同时所述绝缘区域的一端终止在所述第三区域中；
所述第一区域和所述第二区域被隔离的两个部分被引出作为电极，且所述第三区域被引出作为电极。
2.如权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
3.如权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，所述基板为硅基板。
4.如权利要求3所述的双极型晶体管，其特征在于，采用本征硅作为所述硅基板。
5.如权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，所述第一区域被隔离的两个部分进行引出作为第一发射极和第二发射极；
所述第二区域被隔离的两个部分进行引出作为第一基极和第二基极；
所述第三区域作为集电极；
所述第一发射极、第一基极以及所述第二发射极、第二基极共用所述集电极。
6.如权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘区域为条状的间隙和/或绝缘材料。
7.如权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域均为重掺杂，所述第三区域为轻掺杂。
8.如权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的底部与所述基板的底面具有一定距离。
9.如权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，所述第一区域的形状为圆形，所述第二区域和所述第三区域的形状均为环状。
10.如权利要求1所述的双极型晶体管，其特征在于，通过引线将所述所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域进行引出。