用于FINFET技术的基于虚拟端栅极的抗熔丝器件的制作方法

技术总结
本发明公开了用于鳍型场效应晶体管(finFET)技术的抗熔丝器件，该器件包含虚拟栅极，导电触点，以及扩散触点。虚拟栅极形成在鳍片的端角之上。所述导电触点设置在所述虚拟栅极的一部分上并且可用作所述器件的第一电极。所述扩散触点设置在所述鳍片之上并且可用作所述器件的第二电极。

技术研发人员：肖姆·苏伦德兰·波诺斯;伊藤明;朴昌郁
受保护的技术使用者：安华高科技股份有限公司
技术研发日：2015.01.14
技术公布日：2019.02.12