一种基板及其制作方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种基板及其制作方法、显示装置。

背景技术：
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为对盒的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板。薄膜晶体管阵列基板上形成有像素电极和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)，像素电极与TFT的源电极和漏电极之间形成有绝缘层，像素电极通过所述绝缘层中的过孔与漏电极电性接触。如果所述绝缘层为树脂材料，树脂材料与源电极和漏电极直接接触的黏附性不够，会造成脱落不良，而且树脂材料会严重影响TFT的特性。为了改善上述两个问题，在树脂层12和源电极(图中未示出)、漏电极1之间引入缓冲层11(氮化硅或者二氧化硅层)，用于进行黏附性改善和改善TFT特性。但是缓冲层11的引入也带来了其它的问题，在树脂层12和缓冲层11中形成过孔3＇的刻蚀工艺中，会出现底层过刻现象，形成的过孔3＇上端小、下端大，如图1的虚线框内所示，像素电极2通过过孔3＇与漏电极1电性接触时，会在缓冲层11和树脂层12的交界处出现断线，导致漏电极1和像素电极2电性连接不良。

技术实现要素：
本发明提供一种基板及其制作方法，用以解决两个导电层通过两者之间的绝缘层过孔电性连接时，若形成过孔的刻蚀工艺中出现底层过刻现象，会导致两个导电层电性连接不良的问题。本发明还提供一种显示装置，采用上述的基板，用以提高产品的良率。为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种基板，包括第一导电层和位于所述第一导电层上方的第二导电层，以及位于所述第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层，所述第一导电层和第二导电层通过电性连接结构连接，所述电性连接结构包括：位于所述第一绝缘层中的第一过孔，露出所述第一导电层，所述第一过孔的上端小、下端大；所述第二导电层包括：待连接结构，对应第一绝缘层的非过孔制作区；位于所述第一过孔底部并与所述第一导电层接触设置的第一连接结构；所述电性连接结构还包括：填充所述第一过孔的第二绝缘层，所述第二绝缘层中具有第二过孔，露出所述第一连接结构；位于所述第二绝缘层上方的第二连接结构，所述第二连接结构的一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接所述第一导电层和第二导电层。如上所述的基板，优选的是，所述第一绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层靠近第一导电层设置，所述第一子绝缘层中具有第三过孔，所述第二子绝缘层中具有第四过孔；所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成所述第一过孔，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径，所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述第一子绝缘层的厚度。如上所述的基板，优选的是，所述第二子绝缘层的厚度大于所述第一子绝缘层的厚度，所述第四过孔的纵截面为上大下小的倒梯形。如上所述的基板，优选的是，所述第一子绝缘层的厚度小于或等于所述第二导电层和第二连接结构的厚度之和；所述第二连接结构通过所述第二绝缘层中的第二过孔与第二导电层的待连接结构和第一连接结构接触设置。如上所述的基板，优选的是，所述基板为薄膜晶体管阵列基板；所述第一导电层为源漏金属层，所述第二导电层为第一透明导电层，所述第一子绝缘层为缓冲层，所述第二子绝缘层为树脂层。如上所述的基板，优选的是，所述缓冲层的厚度小于或等于所述第一透明导电层和第二连接结构的厚度之和；所述第二连接结构通过所述第二绝缘层中的第二过孔与第一透明导电层的待连接结构和第一连接结构接触设置。如上所述的基板，优选的是，所述第二连接结构的材料为透明导电材料。本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的基板。本发明实施例中还提供一种基板的制作方法，包括：形成第一导电层；在所述第一导电层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二导电层；形成电性连接结构，用于连接所述第一导电层和第二导电层，其中，形成电性连接结构的步骤包括：在所述第一绝缘层中形成第一过孔，露出所述第一导电层，所述第一过孔的上端小、下端大；所述第二导电层包括：待连接结构，对应第一绝缘层的非过孔制作区；位于所述第一过孔底部并与所述第一导电层接触设置的第一连接结构；形成电性连接结构的步骤还包括：形成填充所述第一过孔的第二绝缘层，并在所述第二绝缘层中形成第二过孔，露出所述第一连接结构；形成第二连接结构，所述第二连接结构的一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接所述第一导电层和第二导电层。如上所述的制作方法，优选的是，形成第一绝缘层的步骤包括：在所述第一导电层上形成第一子绝缘层，所述第二绝缘层的厚度大于或等于所述第一子绝缘层的厚度；在所述第一子绝缘层上形成第二子绝缘层；在所述第一绝缘层中形成第一过孔的步骤包括：在所述第二子绝缘层上涂覆光刻胶；采用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，所述光刻胶不保留区域对应所述第一过孔所在的区域，光刻胶保留区域对应其他区域；去除光刻胶不保留区域的第二子绝缘层，形成第四过孔，去除光刻胶不保留区域的第一子绝缘层，形成第三过孔，所述第三过孔和第四过孔的位置对应，形成所述第一过孔，且所述第三过孔的孔径大于所述第四过孔的孔径；剥离剩余的光刻胶。本发明的上述技术方案的有益效果如下：上述技术方案中，当两个导电层通过位于两者之间的第一绝缘层中的第一过孔电性连接时，位于上方的导电层包括对应非过孔制作区的待连接结构和位于第一绝缘层过孔底部的第一连接结构，然后形成填充所述第一绝缘层过孔的第二绝缘层，并在第二绝缘层中形成第二过孔，露出所述第一连接结构，最后形成第二连接结构，其一端与所述待连接结构电性连接，另一端通过所述第二过孔与所述第一连接结构接触设置，用于电性连接两个导电层，保证了电性连接的可靠性，提高了产品良率。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示现有技术中薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图；图2表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的局部结构示意图一；图3-图5表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程图一；图6和图7表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程图二；图8表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。具体实施方式在半导体器件制造中，不同导电层通常通过位于两...