1.用于硅片的无去边复合背封层结构，其特征在于，包括：
多晶硅背封层，所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区；
二氧化硅背封层，所述二氧化硅背封层覆盖在所述多晶硅背封层的外侧，覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。
2.根据权利要求1所述的用于硅片的无去边复合背封层结构，其特征在于，所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米～1.2微米。
3.根据权利要求1所述的用于硅片的无去边复合背封层结构，其特征在于，所述多晶硅背封层的厚度为0.2微米～1.8微米。
4.根据权利要求1～3所述的用于硅片的无去边复合背封层结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
第一步，在硅片上采用低压化学气相沉积法生长多晶硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区、正面斜边区及正面；
第二步，在多晶硅背封层的外侧，采用常压化学气相沉积法生长二氧化硅背封层，覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区及正面斜边区；
第三步，在硅片的正面斜边区域进行边缘抛光，抛除二氧化硅和多晶硅背封层；
第四步，在硅片的正面进行抛光。