1.一种封装结构，应用于OLED面板上，其特征在于，包括：
基板，设置有带有半导体器件的器件区和位于所述器件区外围的密封区，且在所述器件区与所述密封区之间还设置有废材区；
水氧防护层，设置于所述基板上且位于所述废材区；
玻璃膏，设置于所述基板上且位于所述密封区；
UV胶层，覆盖所述玻璃膏的上表面；以及
盖板玻璃，压合于所述UV胶层上，以与所述UV胶层、所述玻璃膏及所述基板一起构成将所述半导体器件与外界隔离的密封空间；
其中，所述水氧防护层吸收位于所述密封空间中的水氧。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述水氧防护层的材质为钙。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述水氧防护层的高度小于所述玻璃膏的高度，以不与所述盖板玻璃接触。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述水氧防护层的高度等于所述玻璃膏的高度且与所述盖板玻璃接触。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述水氧防护层的高度为5～7um。
6.一种封装结构的制备方法，应用于OLED面板，其特征在于，所述方法包括：
提供设置有带有半导体器件的器件区和位于所述器件区外围的密封区的基板，且在所述基板上位于所述器件区与所述密封区之间还设置有废材区；
在所述废材区的基板上制备水氧防护层；
于所述密封区的基板上涂布玻璃膏；
制备具有玻璃膏图形的盖板玻璃，并于所述玻璃膏图形上涂布UV胶层；
将所述盖板玻璃与所述基板压合，以使得所述盖板玻璃与所述UV胶层、所述玻璃膏及所述基板一起构成将所述半导体器件与外界隔离的密封空间；以及
对所述玻璃膏图形进行镭射烧结工艺。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用蒸镀工艺，并利用一掩膜，于所述废材区制备所述水氧防护层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述水氧防护层的材质为钙。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述水氧防护层的高度小于所述玻璃膏的高度且未与所述盖板玻璃接触。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述水氧防护层的高度等于所述玻璃膏的高度且与所述盖板玻璃接触。
11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述水氧防护层的高度为5～7um。