技术总结
一种鳍式场效应管的形成方法，包括：在栅极膜表面形成硅材料层；在所述硅材料层上形成若干分立的第一图形层，所述第一图形层横跨至少一个所述鳍部，所述第一图形层的排列方向与鳍部延伸方向相互平行；以第一图形层为掩膜，刻蚀硅材料层直至暴露出栅极膜表面，在所述栅极膜表面形成若干分立的初始硅层，初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁表面具有第一线宽粗糙度；对初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁进行，修复刻蚀处理，使得所述初始硅层与鳍部延伸方向垂直的侧壁表面具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。本发明提高形成的栅极的质量，改善栅极与鳍部延伸方向相垂直的侧壁的线宽粗糙度，从而提高鳍式场效应管的电学性能。
技术研发人员：张海洋;张城龙
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510324674
技术研发日：2015.06.12
技术公布日：2017.01.04