技术总结
一种晶体管的形成方法，包括：提供具有第一有源区和第二有源区的衬底，衬底表面具有介质层，介质层内具有暴露出部分第一有源区和第二有源区表面的第一开口，第一开口的底部表面具有栅介质层；在介质层表面、以及第一开口的侧壁和底部表面形成第一功函数膜；对第一有源区的第一功函数膜进行功函数调节处理，使第一有源区的第一功函数膜转变成第二功函数膜；之后，去除介质层表面的第一功函数膜和第二功函数膜，形成位于第一有源区的第二功函数层、以及位于第二有源区的第一功函数层；在功函数调解处理工艺之后，在第一开口内形成填充满第一开口的栅极层。形成晶体管的过程简化，所形成的晶体管性能改善。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510381679
技术研发日：2015.07.02
技术公布日：2017.01.11