1.一种纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干悬空的纳米线；
形成包围所述纳米线伪栅极结构；
形成覆盖所述半导体衬底和伪栅极结构的介质层，所述介质层的表面与伪栅极结构的表面齐平；
去除所述伪栅极结构，形成暴露出纳米线表面的凹槽；
回刻蚀去除位于凹槽内的部分厚度的纳米线；
在所述去除部分厚度后的纳米线表面上外延生长形成半导体沟道层；
在所述半导体沟道层的表面上形成高K栅介质层；
在所述高K栅介质层上形成金属栅电极，所述金属栅电极包围纳米线。
2.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述纳米线的材料为SiGe、SiC、Ge、GeSn或Ⅲ-Ⅴ化合物。
3.如权利要求1或2所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述去除部分厚度的纳米线采用各向同性的干法刻蚀工艺。
4.如权利要求3所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述各向同性的干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体为HCl和CF4，所述HCl的流量为5slm～500slm，CF4的流量为5slm～500slm，腔室压力为5torr～500torr，腔室温度为25～1000摄氏度。
5.如权利要求4所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述纳米线被去除的厚度为1～20nm。
6.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体沟道层的材料为Si、SiB、SiGe、SiC、Ge、GeSn、SiP、SiGeB、SiCP或Ⅲ-Ⅴ化合物。
7.如权利要求6所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体沟道层的形成工艺为选择性外延工艺。
8.如权利要求7所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，所述半导体沟道层的材料为SiGe，选择性外延工艺采用的源气体为SiH4和GeH4，SiH4的流量为5sccm～500sccm，GeH4的流量5sccm～500sccm，选择性气体为HCl，HCl流量为10～500slm，腔室压力为5～50torr，腔室温度为500～1000摄氏度，反应时间为30～3000S。
9.如权利要求8所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体沟道层的厚度等于纳米线被回刻蚀去除的厚度。
10.如权利要求9所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述半导体沟道层的厚度为1～20nm。
11.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成伪栅极结构后，还包括：在所述伪栅极结构的侧壁表面形成侧墙。
12.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在伪栅极结构两侧的半导体衬底上形成源区和漏区，所述源区和漏区分别与纳米线的两端相连。
13.如权利要求12所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构的材料与纳米线的材料不相同。
14.如权利要求13所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构的材料为多晶硅、无定形硅或无形碳。
15.一种纳米线场效应晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干悬空的纳米线；
位于纳米线表面的半导体沟道层；
在所述半导体沟道层的表面上的高K栅介质层；
位于高K栅介质层上的金属栅电极，所述金属栅电极包围纳米线。
16.如权利要求15所述的纳米线场效应晶体管，其特征在于，所述半导体沟道层的材料为Si、SiB、SiGe、SiC、Ge、GeSn、SiP、SiGeB、SiCP或Ⅲ-Ⅴ化合物。
17.如权利要求16所述的纳米线场效应晶体管，其特征在于，所述半导体沟道层的厚度为1～20nm。
18.如权利要求15所述的纳米线场效应晶体管，其特征在于，还包括：位于栅电极两侧的侧墙；位于侧墙两侧与纳米线连接源区和漏区。