1.一种电阻式存储装置，其特征在于，包括：
多数个存储单元对，依阵列方式配置于基底上，各所述存储单元对包括：
主动区，形成于所述基底上；
第一字线及第二字线，形成于所述基底上，并与所述主动区交错；
源极线，形成于所述基底上，并耦接至所述主动区；
第一电阻及第二电阻，配置于所述基底上，并分别耦接至所述主动区；以及
第一位线及第二位线，形成于所述第一电阻及所述第二电阻之上，并耦接至所述第一电阻及所述第二电阻，
其中，所述第一位线及所述第二位线大致与所述第一字线及所述第二字线平行的沿第一方向延伸。
2.根据权利要求1所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述主动区沿第二方向配置于所述基底上，所述第一方向实质上与所述第二方向相交错。
3.根据权利要求2所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述源极线沿第三方向配置，并覆盖所述主动区至少一部分。
4.根据权利要求3所述的电阻式存储装置，其特征在于，还包括第一连接结构，其中所述第一连接结构配置于所述源极线与所述主动区重叠的区域中，并且所述源极线通过所述第一连接结构耦接至所述主动区。
5.根据权利要求4所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述源极线形成于所述主动区上方，且所述第三方向大致与所述第二方向相同，还包括：
第二连接结构，配置于所述主动区上方，并耦接至所述第一电阻。
6.根据权利要求5所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述第二连接结构具有第二中心，还包括：
第一金属层，配置于所述第二连接结构上方，并具有第一金属层中心；
第三连接结构，配置于所述第一金属层上方且耦接至所述源极线，并具有第三中心，
其中，所述第二中心自所述第一金属层中心往第四方向偏移，且所述第三中心自所述第一金属层中心往第五方向偏移。
7.根据权利要求6所述的电阻式存储装置，其特征在于，还包括：
第四连接结构，配置于所述第主动区上方，并具有第四中心；
第二金属层，配置于所述第四连接结构上方，并具有第二金属层中心；
第五连接结构，配置于所述第二金属层上方且耦接至所述源极线，并具有第五中心，
其中，所述第四中心自所述第二金属层中心往所述第五方向偏移，且所述第五中心自所述第二金属层中心往所述第四方向偏移。
8.根据权利要求7所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述第一电阻及所述第二电阻自所述源极线往所述第五方向偏移。
9.根据权利要求7所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述第一电阻自所述源极线往所述第五方向偏移，且所述第二电阻自所述源极线往所述第四方向偏移。
10.根据权利要求2所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述源极线大致与所述主动区平行的沿所述第二方向延伸，且所述第一连接结构具有第一中心，还包括：
第一金属层，配置于所述第一连接结构上方，并具有第一金属层中心；
第二连接结构，配置于所述第一金属层上方且耦接至所述源极线，并具有第二中心；其中
所述第一中心自所述第一金属层中心往第三方向偏移，且所述第二中心自所述第一金属层中心往第四方向偏移。
11.根据权利要求10所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述第三方向与所述第四方向为相反的方同。
12.根据权利要求4所述的电阻式存储装置，其特征在于，所述第三方向实质上与所述第二方向相同，并且所述源极线具有突出部覆盖所述主动区的所述部分。
13.根据权利要求1所述的电阻式存储装置，其特征在于，配置在相同行的存储单元对共用相同第一位线、第二位线、第一字线以及第二字线，相同列的存储单元对结构共用相同的源极线。