1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：
步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区和NMOS区，与所述PMOS对应的所述半导体衬底表面上形成有第一鳍片，与所述NMOS区对应的所述半导体衬底表面上形成有第二鳍片；
步骤S2：在所述半导体衬底的表面上形成部分覆盖所述第一鳍片和所述第二鳍片的栅极结构；
步骤S3：依次在所述半导体衬底、所述第一鳍片和所述第二鳍片暴露的表面上形成P型杂质掺杂的第一介电层和第一刻蚀停止层；
步骤S4：去除对应所述NMOS区的位于所述半导体衬底和所述第二鳍片表面上的所述第一介电层和第一刻蚀停止层；
步骤S5：依次形成覆盖所述半导体衬底、所述第一鳍片和所述第二鳍片的N型杂质掺杂的第二介电层和第二刻蚀停止层；
步骤S6：进行退火步骤，以使所述P型杂质扩散进所述第一鳍片内、所述N型杂质扩散进所述第二鳍片内。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S6之后，还包括以下步骤：
步骤S7：回蚀刻位于所述第一鳍片表面上、对应于将形成源漏区的部分所述第二刻蚀停止层、所述第二介电层、所述第一刻蚀停止层和所述第一介电层以及部分所述第一鳍片，并在所述第一鳍片上形成第一应力外延层；
步骤S8：回蚀刻位于所述第二鳍片表面上、对应于将形成源漏区的部分所述第二刻蚀停止、所述第二介电层以及部分所述第二鳍片，并在所述第二鳍片上形成第二应力外延层。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2和所述步骤S3之间还包括以下步骤：
在所述第一鳍片和所述第二鳍片暴露的表面形成氧化层。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，通过对所述第一鳍片和所述第二鳍片暴露的表面进行氧化，以形成所述氧化层。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一介 电层和所述第二介电层的材料包括旋涂玻璃。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火步骤为峰值退火。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述退火步骤的温度范围为500～1000℃，时间范围为5～60min。
8.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，第一应力外延层的材料包括SiGe。
9.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，第二应力外延层的材料包括SiP。
10.一种采用如权利要求1至9任一项所述的制造方法所获得的半导体器件。