技术总结
本发明涉及一种N型碳化硅肖特基二极管结构，包括以下特征：在N型碳化硅肖特基二极管器件体内没有P型掺杂区，其中至少有一个沟槽，这沟槽的深度为0.5um至6.0um之间，宽度为0.4um至4.0um之间，沟槽内壁(侧边和底部)有一介质层物质，厚度为0.01um至1um，沟槽中间填以导电物质。这种沟槽结构是用来扩展器件在反向偏置时的耗尽层，避免电场过度集中而引起器件局部提早击穿。
技术研发人员：苏冠创;黄升晖
受保护的技术使用者：南京励盛半导体科技有限公司
文档号码：201510694903
技术研发日：2015.10.22
技术公布日：2017.05.03