一种红外探测器结构及其制备方法与流程

本发明涉及红外探测器技术领域，尤其涉及一种红外探测器结构及其制备方法的技术。

背景技术：

非制冷红外探测器已广泛应用于红外热成像领域，其通过吸收红外辐射，引起探测器热敏薄膜温度变化，温度变化引起热敏薄膜电阻发生变化，通过读出电路将电阻的变化转换为输出信号。

典型的非制冷红外探测器包括连接柱、绝热梁、红外吸收器、由电极薄膜构成的读出电极，以及由热敏薄膜的一部分或全部构成的热敏电阻。电极薄膜包含正负电极两部分，每个部分的一端分别通过绝热梁、连接柱电连接到衬底中的读出电路，同时绝热梁和连接柱也构成热敏薄膜的机械支撑；电极薄膜的另一端连接热敏薄膜。绝热梁之间的电极薄膜、热敏薄膜以及可能的介质薄膜部分，可统称为主体桥面。

红外探测器工作时，读出电路通过电极薄膜对热敏薄膜施加偏置电压，以形成通过热敏材料薄膜的电流。在红外探测器接收红外辐射时，电极薄膜吸收红外辐射并传导至热敏材料薄膜，引起热敏薄膜的温度变化，从而引起热敏薄膜的电阻率变化，通过热敏薄膜的电流也同时发生变化，该信号通过读出电路处理后输出。

红外探测器的最终性能通常取决于以下几个因素：1)绝热梁的热阻；2)红外吸收薄膜的吸收效率；3)电学噪声，包括读出电路本身的噪声，以及探测器的热敏薄膜的1/f噪声；4)探测器的时间常数，其由绝热梁的热阻与薄膜的热容决定。

现有技术中关于红外探测器的热敏电阻以及连接热敏电阻的电 极的结构方式，主要有2种：一种为“夹心”结构，即分别作为正负极的电极薄膜位于热敏薄膜的上下方，通过热敏薄膜的电流沿着垂直于薄膜的方向；第二种可称为共面电极，即正负极电极薄膜位于一个平面上，而热敏薄膜则位于电极平面的上方或下方，通过热敏薄膜电阻的电流沿着平行于薄膜的方向。上述第一种结构，一般需要比较高的热敏薄膜厚度以达到适合读出电路处理的绝对电阻值，而厚的热敏薄膜将导致探测器与衬底绝热部分的热容增大，即增加探测器的时间常数，目前很少应用于成熟的探测器中。第二种电极结构是目前的主流技术。

在具体应用中，由于红外探测器的电极薄膜是导体，因此其可同时作为红外吸收器，以避免增加额外的红外吸收层而导致更复杂的加工工艺，通过适当控制电极薄膜的电阻以及空间排布，可优化红外吸收，因此，决定红外吸收效率的参数包括电极薄膜的面积及图形排列方式。

现有技术中如美国专利US5912464公开了一种红外探测器结构，该结构中的电极为交错排布的梳齿状电极。如图1所示，该结构包括两个连接柱1、两个绝热梁2、电极薄膜3和热敏薄膜4，其中，电极薄膜3位于热敏薄膜4之上，电极薄膜3形成的正极和负极位于一个平面，W表示热敏薄膜的有效导电部分的宽度，L表示热敏材料的有效导电部分的长度，在此，图1中的斜线阴影部分为正极或负极，虚线部分为负极或正极。从图1可以看出，该结构中的热敏薄膜4的形状是来回弯折的。由于有效导体薄膜(即热敏薄膜的有效导电部分)的形状来回弯折，且同时包含了两个正交方向(图示水平和垂直)的长条形导体，对所有极化方向的吸收都有利(自然界的红外辐射为无偏振辐射，即包含了电场沿所有极化方向的辐射)。但这种交错排布电极结构有一个固有的缺陷，在薄膜导体弯折部分，热敏薄膜两边的电极并非完全对称平行，即在弯折处电流是不均匀的。更严重的是，弯折处包含了尖端电极，在尖端位置有电流极大值，即有尖端放电现象。无论电流不均匀还是尖端放电，都会额外引入电学噪声。另外， 在探测单元构成平面阵列的情形，尖端结构导致探测单元的阻值加工工艺非常敏感，增加了阵列中探测单元之间的不均匀性。而有效电阻的弯折次数越多，有效导体薄膜的弯折部分占比越大，引入的噪声也就越多。

技术实现要素：

本发明的一个目的是提供一种红外探测器结构及其制备方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种红外探测器结构，包括：衬底、主体桥面，以及：

绝热梁，用于支撑所述主体桥面悬于所述衬底上方，使得所述主体桥面与所述衬底相分离；

连接柱，用于连接所述衬底与所述绝热梁；

其中，所述衬底朝向所述主体桥面的端面上具有红外反射薄膜，所述主体桥面包含电极薄膜图形和热敏薄膜图形，所述电极薄膜图形包括分别由梳齿状图形构成的正极图形和负极图形，所述正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域，所述条形区域包含热敏薄膜区域以及通孔区域，其中，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将所述热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域。

根据本发明的另一方面，还提供了一种用于制备如前述根据本发明一个方面的红外探测器结构的方法，其中，该方法包括以下步骤：

-在衬底上沉积红外反射薄膜；

-确定所述红外反射薄膜的位置并去除该位置以外的所述红外反射薄膜；

a在所述衬底的沉积有所述红外反射薄膜的端面上涂覆牺牲层材料，以形成牺牲层；

b在所述牺牲层上形成用于所述红外探测器结构的连接柱的凹槽；

c在所述牺牲层上及所述凹槽内沉积导体金属薄膜，并去除所述凹槽位置以外的所述导体金属薄膜，以由所述导体金属薄膜构成所述连接柱；

d在所述牺牲层上沉积电极薄膜；

-确定由所述电极薄膜形成的电极薄膜图形的位置并去除该位置以外的所述电极薄膜，其中，所述电极薄膜图形包括分别由梳齿状图形构成的正极图形和负极图形，所述正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域；

e在所述牺牲层的形成有所述电极薄膜图形的端面上沉积热敏薄膜；

f确定所述红外探测器结构的绝热梁、主体桥面与通孔的对应位置，去除所述对应位置外的所述电极薄膜、所述热敏薄膜，以形成所述绝热梁、所述主体桥面与所述通孔，其中，所述绝热梁用于支撑所述主体桥面悬于所述衬底上方，并通过所述连接柱与所述衬底相连，所述主体桥面包含所述电极薄膜图形和由所述热敏薄膜形成的热敏薄膜图形，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域；

g去除所述牺牲层材料，以获得所述红外探测器结构，其中，所述主体桥面与所述衬底之间存在空隙。

根据本发明的又一方面，还提供了一种用于制备如前述根据本发明一个方面的红外探测器结构的方法，其中，该方法包括以下步骤：

-在衬底上沉积红外反射薄膜；

-确定所述红外反射薄膜的位置并去除该位置以外的所述红外反射薄膜；

A在所述衬底的沉积有所述红外反射薄膜的端面上涂覆牺牲层材料，以形成牺牲层；

B在所述牺牲层上形成用于所述红外探测器结构的连接柱的凹槽；

C在所述牺牲层上及所述凹槽内沉积导体金属薄膜，并去除所述凹槽位置以外的所述导体金属薄膜，以由所述导体金属薄膜构成所述连接柱；

D在所述牺牲层上沉积热敏薄膜；

E在所述热敏薄膜上沉积电极薄膜；

-确定由所述电极薄膜形成的电极薄膜图形的位置并去除该位置以外的所述电极薄膜，并形成热敏薄膜区域，其中，所述电极薄膜图形包括分别由梳齿状图形构成的正极图形和负极图形，所述正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域；

F确定所述红外探测器结构的绝热梁、主体桥面与通孔的对应位置，去除所述对应位置外的所述电极薄膜、所述热敏薄膜，以形成所述绝热梁、所述主体桥面、所述通孔与热敏薄膜图形，其中，所述绝热梁用于支撑所述主体桥面悬于所述衬底上方，并通过所述连接柱与所述衬底相连，所述主体桥面包含所述电极薄膜图形和热敏薄膜图形，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将所述热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域；

G去除所述牺牲层材料，以获得所述红外探测器结构，其中，所述主体桥面与所述衬底之间存在空隙。

根据本发明的再一方面，还提供了一种非制冷红外探测器，其中，该非制冷红外探测器包括如前述根据本发明一个方面的一种红外探测器结构。

根据本发明的还一方面，还提供了一种红外成像仪，其中，所述红外成像仪包括如前述根据本发明一个方面的一种红外探测器结构。

根据本发明的还一方面，还提供了一种焦平面阵列，其中，该焦平面阵列包括如前述根据本发明一个方面的一种红外探测器结构。

与现有技术相比，本发明的红外探测器结构的组成电极薄膜图形的正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域，所述条形区域包含热敏薄膜区域以及通孔区域，其中，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将所述热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域，解决了现有技术中电极交错配置所固有的不均匀电流以及尖端放电问题，同时也在一定程度上降低了因薄膜应力引起的探测器结构和电性能非均匀性，使得探测器噪声最优，并简化了工艺流程，降低了探测器结构的时间常数。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出现有技术中的一种红外探测器结构；

图2示出根据本发明一个实施例的红外探测器结构的立体示意图；

图3示出与图2所示的红外探测器结构立体示意图相对应的红外探测器结构的结构俯视图及沿A—A截面的截面图；

图4示出本发明另一个实施例的红外探测器结构的结构俯视图及沿A—A截面的截面图。

附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细描述。

图2示出根据本发明一个实施例的红外探测器结构的立体示意图，图3示出与图2所示的红外探测器结构立体示意图相对应的红外探测器结构的结构俯视图，其中，该红外探测器结构包括：衬底5、主体桥面，红外反射薄膜7，以及：绝热梁2，用于支撑所述主体桥面悬于所述衬底5上方，使得所述主体桥面与所述衬底5相分离；连接柱1，用于连接所述衬底5与所述绝热梁2；其中，所述衬底5朝向所述主体桥面的端面上具有红外反射薄膜7，所述主体桥面包含电极薄膜图形3和热敏薄膜图形4，所述电极薄膜图形3包括分别由梳齿状图形构成的正极图形和负极图形，所述正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域，所述条形区域包含热敏薄膜区域以及通孔区域6，其中，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将所述热敏薄膜区域4分割为多个独立的长方形区域。

在此，热敏薄膜可由非晶硅、非晶锗硅、氧化钒等材料制成。

在此，电极薄膜可以吸收红外辐射，其可由钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)等材料制成。

在此，绝热梁2用于绝热和形成电读出回路，由电极薄膜和热敏薄膜叠合形成，或仅包含电极薄膜。优选地，所述绝热梁还包含介质薄膜。在此，所述介质薄膜可由氧化硅、氮化硅等材料形成。

在此，所述衬底5为包含读出电路的硅衬底或其他半导体衬底。本领域技术人员应理解上述衬底5仅为示例，其他现有的或今后可能出现的衬底5如可适用于本发明，也应包含在本发明保护范围以内，并在此以引用方式包含于此。在具体实施例中，衬底5的读出电路产生读出电流，该电流通过绝热梁2和主体桥面，绝热梁2和连接柱1一起作为衬底5的读出电路的回路通道。

在此，所述主体桥面由绝热梁2之间的电极薄膜和热敏薄膜构成，其形状包括但不限于长方形、正方形等各种形状。优选地，所述主体桥面还包含介质薄膜。在此，所述介质薄膜可由氧化硅、氮化硅等材料形成。

在此，所述连接柱1可通过机械连接、焊接等方式与所述衬底5及所述绝热梁2相连接。在具体实施例中，连接柱1可由诸如铝、铜、钛等导体金属材料制成。

优选地，所述通孔区域的形状为长条形。

优选地，所述电极薄膜图形3和所述热敏薄膜图形4上下叠合并保持电接触，形成所述电极薄膜图形3的电极薄膜可位于形成所述热敏薄膜图形4的热敏薄膜的下方，也可位于所述热敏薄膜的上方。

优选地，构成正极图形和负极图形的所述梳齿状图形为单边梳齿的梳齿状图形和/或双边梳齿的梳齿状图形。

为便于说明，在此，仅以形成所述电极薄膜图形3的电极薄膜位于形成所述热敏薄膜图形4的热敏薄膜的上方情形为例，示出本发明的红外探测器结构，如图2/图3/图4。

具体地，如图3所示，构成正极图形和负极图形的所述梳齿状图形为单边梳齿的梳齿状图形，图3中的斜线阴影部分为正极图形或负极图形，而虚线部分相应地为负极图形或正极图形，正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域，该条形区域包含热 敏薄膜区域以及通孔区域6，其中，所述通孔区域6位于所述条形区域的弯折处，将所述热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域。在此，通孔区域的设置切断电极薄膜为正负极两个部分，降低了红外探测器的热容，有利于降低时间常数，也有利于释放薄膜应力；另一方面，通孔区域还将正负电极之间的热敏薄膜分割为多个规则的长方形，通过并联构成的本发明的红外探测器结构的有效电阻，由于这些长方形热敏薄膜两边的电极薄膜相互平行，使得电流由电极薄膜均匀通过热敏薄膜，避免了尖端放电和不均匀电流；此外，电极薄膜的上述分布有利于吸收红外辐射；而且，本发明的红外探测器结构简单，仅包含必要的热敏电阻薄膜和电阻薄膜层，工艺简单成本低。

优选地，本发明还可任意调整热敏电阻有效部分的几何形状，以适用于不同电阻率的热敏材料。电极薄膜的分布有利于吸收红外辐射。

在一个优选实施例中，构成正极图形和负极图形的所述梳齿状图形为单边梳齿的梳齿状图形和双边梳齿的梳齿状图形构成的混合梳齿状图形，如图4所示，基于同样原理在同样位置设置通孔区域6，对更为复杂的交错电极结构实现了电流分布的优化。

本发明还包括制备如图2所示的红外探测器结构的方法流程。具体地，首先，在衬底上沉积红外反射薄膜；然后，确定所述红外反射薄膜的位置并去除该位置以外的所述红外反射薄膜；在步骤a中，在所述衬底的沉积有所述红外反射薄膜的端面上涂覆牺牲层材料，以形成牺牲层；在步骤b中，在所述牺牲层上形成用于所述红外探测器结构的连接柱的凹槽；在步骤c中，在所述牺牲层上及所述凹槽内沉积导体金属薄膜，并去除所述凹槽位置以外的所述导体金属薄膜，以由所述导体金属薄膜构成所述连接柱；在步骤d中，在所述牺牲层上沉积电极薄膜；接着，确定由所述电极薄膜形成的电极薄膜图形的位置并去除该位置以外的所述电极薄膜，其中，所述电极薄膜图形包括分别由梳齿状图形构成的正极图形和负极图形，所述正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域；在步骤e中，在所述牺牲层的形成有所述电极薄膜图形的端面上沉积热敏薄膜；在步骤f中，确定所述红外探测 器结构的绝热梁、主体桥面与通孔的对应位置，去除所述对应位置外的所述电极薄膜、所述热敏薄膜，以形成所述绝热梁、所述主体桥面与所述通孔，其中，所述绝热梁用于支撑所述主体桥面悬于所述衬底上方，并通过所述连接柱与所述衬底相连，所述主体桥面包含所述电极薄膜图形和由所述热敏薄膜形成的热敏薄膜图形，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域；在步骤g中，去除所述牺牲层材料，以获得所述红外探测器结构，其中，所述主体桥面与所述衬底之间存在空隙。

具体地，首先，在衬底上沉积红外反射薄膜。

然后，确定所述红外反射薄膜的位置并去除该位置以外的所述红外反射薄膜。例如，利用图形工艺方法，首先画出如图2所示的衬底5上红外反射薄膜7的位置；然后，通过光刻、腐蚀等方法去除该位置以外的所述红外反射薄膜，以形成红外反射薄膜层。

在步骤a中，在所述衬底的沉积有所述红外反射薄膜的端面上涂覆牺牲层材料，以形成牺牲层。例如，接上例，如图2所示的衬底5的沉积有所述红外反射薄膜7的端面上涂覆牺牲层材料，以形成牺牲层。在此，所述牺牲层材料包括但不限于如聚酰亚胺(PI)(如可溶性PI)、无定形硅(a-Si)等。

在步骤b中，在所述牺牲层上形成用于所述红外探测器结构的连接柱的凹槽。例如，接上例，利用图形工艺方法，首先画出如图2所示的衬底5上连接柱的位置；然后，通过光刻、腐蚀等方法去除该位置上的牺牲层，以形成如图2所示的红外探测器结构的连接柱1所需的凹槽。

在步骤c中，在所述牺牲层上及所述凹槽内沉积导体金属薄膜，并去除所述凹槽位置以外的所述导体金属薄膜，以由所述导体金属薄膜构成所述连接柱。例如，接上例，在所述牺牲层上及所述凹槽内沉积导体金属薄膜，然后利用图形工艺方法，去除所述凹槽位置以外的所述导体金属薄膜，以由所述导体金属薄膜构成如图2所示的连接柱1。在此，所述导体金属薄膜可以是铝、铜、钛等导体金属材料形成的薄膜。

在步骤d中，在所述牺牲层上沉积电极薄膜。在此，电极薄膜可以 吸收红外辐射，其可由钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)等材料制成。

接着，确定由所述电极薄膜形成的电极薄膜图形的位置并去除该位置以外的所述电极薄膜，其中，所述电极薄膜图形包括分别由梳齿状图形构成的正极图形和负极图形，所述正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域。例如，利用图形工艺方法，首先画出如图2所示的电极薄膜图形3，此时，绝热梁2处的电极薄膜是保留的；然后，通过光刻、腐蚀等方法去除电极薄膜图形3的位置及绝热梁2处的位置以外的电极薄膜。此时，电极薄膜图形3包括分别由梳齿状图形构成的正极图形和负极图形，所述正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域。

在步骤e中，在所述牺牲层的形成有所述电极薄膜图形的端面上沉积热敏薄膜。

在步骤f中，确定所述红外探测器结构的绝热梁、主体桥面与通孔的对应位置，去除所述对应位置外的所述电极薄膜、所述热敏薄膜，以形成所述绝热梁、所述主体桥面与所述通孔区域，其中，所述绝热梁用于支撑所述主体桥面悬于所述衬底上方，并通过所述连接柱与所述衬底相连，所述主体桥面包含所述电极薄膜图形和由所述热敏薄膜形成的热敏薄膜图形，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域。例如，利用图形工艺方法，首先画出如图2所示的绝热梁、主体桥面与通孔的对应位置；然后，通过光刻、腐蚀等方法去除所述对应位置外的所述电极薄膜、所述热敏薄膜，以形成如图2所示的绝热梁2、主体桥面与通孔区域6，其中，绝热梁2用于支撑所述主体桥面悬于衬底5上方，并通过连接柱1与衬底5相连，所述主体桥面包含所述电极薄膜图形和由所述热敏薄膜形成的热敏薄膜图形4，通孔区域6位于所述条形区域的弯折处，将热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域。

在步骤g中，去除所述牺牲层材料，以获得所述红外探测器结构，其中，所述主体桥面与所述衬底之间存在空隙，如通过氧等离子刻蚀方 法去除所述牺牲层材料，释放所述红外探测器结构，以获得如图2所示的红外探测器结构，其中，主体桥面与衬底5之间存在空隙。

优选地，该方法在牺牲层上沉积电极薄膜之前，还可首先在牺牲层上沉积第一介质薄膜；然后，在步骤d中，在所述第一介质薄膜上沉积电极薄膜；在所述牺牲层的形成有所述电极薄膜图形的端面上沉积热敏薄膜之后，在所述热敏薄膜上沉积第二介质薄膜；接着，在步骤f中，确定所述红外探测器结构的绝热梁、主体桥面与通孔的对应位置，去除所述对应位置外的所述第一介质薄膜、所述电极薄膜、所述热敏薄膜和所述第二介质薄膜，以形成所述绝热梁、所述主体桥面与所述通孔，其中，所述绝热梁用于支撑所述主体桥面悬于所述衬底上方，并通过所述连接柱与所述衬底相连，所述主体桥面包含所述电极薄膜图形和由所述热敏薄膜形成的热敏薄膜图形，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域。此时形成的红外探测器结构的主体桥面还包括了第一介质薄膜和第二介质薄膜，有利于薄膜应力平衡。

优选地，第一介质薄膜和第二介质薄膜可由氧化硅、氮化硅等材料形成。

在此，通过以上先沉积电极薄膜后沉积热敏薄膜形成了如图2所示的红外探测器结构。

本发明还包括制备如图2所示的红外探测器结构的另一种方法流程。具体地，首先，在衬底上沉积红外反射薄膜；然后，确定所述红外反射薄膜的位置并去除该位置以外的所述红外反射薄膜；在步骤A中，在所述衬底的沉积有所述红外反射薄膜的端面上涂覆牺牲层材料，以形成牺牲层；在步骤B中，在所述牺牲层上形成用于所述红外探测器结构的连接柱的凹槽；在步骤C中，在所述牺牲层上及所述凹槽内沉积导体金属薄膜，并去除所述凹槽位置以外的所述导体金属薄膜，以由所述导体金属薄膜构成所述连接柱；在步骤D中，在所述牺牲层上沉积热敏薄膜；在步骤E中，在所述热敏薄膜上沉积电极薄膜；接着，确定由所述电极薄膜形成的电极薄膜图形的位置并去除该位置以外的所述电极薄 膜，并形成热敏薄膜区域，其中，所述电极薄膜图形包括分别由梳齿状图形构成的正极图形和负极图形，所述正极图形和负极图形的梳齿交错排列，之间形成来回弯折的条形区域；在步骤F中，确定所述红外探测器结构的绝热梁、主体桥面与通孔的对应位置，去除所述对应位置外的所述电极薄膜、所述热敏薄膜，以形成所述绝热梁、所述主体桥面、所述通孔与热敏薄膜图形，其中，所述绝热梁用于支撑所述主体桥面悬于所述衬底上方，并通过所述连接柱与所述衬底相连，所述主体桥面包含所述电极薄膜图形和热敏薄膜图形，所述通孔区域位于所述条形区域的弯折处，将所述热敏薄膜区域分割为多个独立的长方形区域；在步骤G中，去除所述牺牲层材料，以获得所述红外探测器结构，其中，所述主体桥面与所述衬底之间存在空隙。

在此，需要说明的是，以上先沉积热敏薄膜后沉积电极薄膜的工艺方法与前述先沉积电极薄膜后沉积热敏薄膜的工艺方法类似，为简明起见，在此不再赘述，并以引用的方式包含于此。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。装置权利要求中陈述的多个单元或装置也可以由一个单元或装置通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。