接触孔清洗的方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种接触孔清洗的方法。

背景技术：

在集成电路制造技术中，互联技术对产品的成品率的提高有重要的作用。其中，接触孔中填充导电层是最关键的互联技术之一。

通常，接触孔是在基底中刻蚀形成的，刻蚀基底的过程中产生的副产物难以完全排出，从而在接触孔中形成残留物，所述残留物为含碳有机物，由于所述含碳有机物不导电，导致后续在所述接触孔中填充金属层后，所述残留物会阻隔所述金属层和接触孔底部的导电层，如所述导电层为MOS晶体管源漏区表面的金属硅化物层，导致所述金属层和所述导电层之间的电学连接出现断路的现象，为了避免所述断路现象的发生，需要将除接触孔中的残留物去除，通常的做法是在接触孔中填充金属层之前采用硫酸和双氧水的混合溶液作为清洗液对接触孔中的残留物进行清洗。

然而，随着特征尺寸的不断缩小，接触孔的深宽比不断增加，所述清洗液对接触孔的清洗效果变差。

技术实现要素：

本发明解决的问题是提供一种接触孔清洗的方法，以提高对接触孔的清洗效果。

为解决上述问题，本发明提供一种接触孔清洗的方法，包括：提供基底，所述基底中具有接触孔；对所述基底和所述接触孔进行润湿处理；进行润湿处理后，采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔。

可选的，所述润湿处理采用的润湿剂为去离子水或者双氧水溶液。

可选的，当所述润湿剂为去离子水时，所述润湿处理采用的温度为20摄氏度～100摄氏度，润湿处理的时间5s～120s。

可选的，当所述润湿剂为双氧水溶液时，所述双氧水溶液的浓度为10％～70％，所述润湿处理采用的温度为20摄氏度～100摄氏度，润湿处理的时间5s～120s。

可选的，采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔后，还包括：用去离子水冲洗所述接触孔。

可选的，在所述硫酸和双氧水的混合溶液中，硫酸和双氧水的体积百分比为2:1～1:4，温度为60摄氏度～230摄氏度。

可选的，采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔的工艺为：气体喷射工艺、扫描喷射工艺或者两种工艺的结合。

可选的，当采用气体喷射工艺时，采用的气体为N₂，N₂的流量为5000sccm～100000sccm。

可选的，当采用扫描喷射工艺时，扫描速率为2s/次～10s/次。

可选的，当采用气体喷射和扫描喷射结合的工艺时，采用的气体为N₂，N₂的流量为5000sccm～100000sccm，扫描速率为2s/次～10s/次。

可选的，用去离子水冲洗接触孔后，还包括：采用气体喷射工艺喷射去离子水进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

可选的，所述气体喷射工艺喷射去离子水采用的气体为N₂，N₂的流量为5000sccm～100000sccm，喷射的去离子水的温度为20摄氏度～100摄氏度。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

由于在采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔之前，对所述基底表面和所述接触孔内壁进行润湿处理，使得原来高能表面的基底表面和接触孔内壁被水膜覆盖，降低了基底表面和所述接触孔内壁的表面能，从而使得基底表面和所述接触孔内壁与硫酸和双氧水的混合溶液的润湿性变差、界面间的粘附性降低，从而使得硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔的阻力减小，使得硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中的效率得到提高，从而提高了对接触孔的清洗效果。

进一步的，所述润湿处理采用的润湿剂为双氧水溶液，在硫酸和双氧水 的混合溶液清洗接触孔之前，使得接触孔内壁首先接触双氧水溶液，即使因为工艺误差使得硫酸和双氧水的混合溶液中存在的部分硫酸先被喷射出来，这部分硫酸和接触孔底部首先接触的双氧水溶液反应形成磺酸，对接触孔中的残留物进行清洗，从而避免了硫酸首先和接触孔内壁接触引起的硫酸与接触孔底部的导电层反应。

附图说明

图1是本发明第一实施例中接触孔清洗的方法的流程图；

图2是本发明第二实施例中接触孔清洗的方法的流程图；

图3是本发明第三实施例中接触孔清洗的方法的流程图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有技术中接触孔清洗的方法对接触孔清洗的效果较差。

针对接触孔清洗的方法进行研究，接触孔清洗的方法包括以下步骤：提供基底，所述基底中具有接触孔；采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔后，用去离子水冲洗所述接触孔。

随着特征尺寸的进一步减小，接触孔的深宽比增加，由于硫酸和双氧水的混合溶液作为清洗液的粘度较大，所述清洗液难以充分的进入接触孔中与接触孔中，导致接触孔中的残留物很难去除干净。所述残留物为含碳有机物。

在此基础上，本发明提供一种接触孔清洗的方法，在采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔之前，对所述基底和所述接触孔进行润湿处理，从而提高了对接触孔的清洗效果。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

第一实施例

图1是本发明第一实施例中接触孔清洗的方法的流程图。

执行步骤S11，提供基底，所述基底中具有接触孔。

所述基底的材料为硅、锗、锗化硅、碳化硅或砷化镓；所述基底的材料还可以为单晶硅、多晶硅、非晶硅或绝缘体上的硅。所述基底内还可以形成有半导体器件，所述半导体器件为MOS晶体管、CMOS晶体管、电容器、电阻器或电感器。本实施例中，所述基底中形成有MOS晶体管，所述基底包括半导体衬底和位于半导体衬底表面的栅极结构、位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏区、位于源漏区表面的硅覆盖层、位于硅覆盖层表面的金属硅化物层，位于半导体衬底上且覆盖栅极结构侧壁的层间介质层。

形成接触孔的步骤为：在所述基底表面形成定义所述接触孔位置的掩膜层(未图示)；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述基底，在所述基底中形成接触孔。本实施例中，当所述基底中形成有MOS晶体管时，所述接触孔贯穿所述层间介质层的厚度且暴露出源漏区表面的金属硅化物层。

所述接触孔的数量为一个或多个。在实际工艺中，所述基底具有中心区域和边缘区域，所述基底的中心区域和边缘区域均有接触孔分布。

可以采用深反应性离子刻蚀工艺在基底中形成所述接触孔。所述深反应性离子刻蚀可以是Bosch深反应性离子刻蚀(Bosch Deep Reactive Ion Etching，Bosch DRIE)工艺，或者是低温型深反应性离子刻蚀(Cryogenic Deep Reactive Ion Etching，DRIE)工艺。

本实施例中，采用Bosch深反应性离子刻蚀工艺形成所述接触孔，具体的步骤为：以所述掩膜层为掩膜，交替地引入刻蚀性气体和保护性气体，交替地对基底进行刻蚀和对刻蚀后形成的侧壁进行保护，直至形成预定尺寸的接触孔。

随着半导体器件的特征尺寸的持续缩小，导致形成的接触孔的深宽比不断增大，本实施例中，所述接触孔的深宽比为2～6。

执行步骤S12，对所述基底和所述接触孔进行润湿处理。

具体的，所述润湿处理的工艺为：通过气泵给予润湿剂流动的动力，使所述润湿剂喷射在基底表面和所述接触孔内，使基底表面和所述接触孔内壁被润湿剂覆盖。

当所述润湿剂为去离子水时，所述润湿处理采用的温度为20摄氏度～100 摄氏度，润湿处理的时间5s～120s。若所述润湿处理的温度超过100摄氏度，导致工艺条件受到限制；若所述润湿处理的温度低于20摄氏度，使得所述润湿处理的速率降低；若所述润湿处理的时间小于5s，导致去离子水不能充分的润湿基底表面和接触孔内壁；若所述润湿处理的时间大于120s，导致工艺效率降低，工艺成本增加。

当所述润湿剂为双氧水溶液时，所述双氧水溶液的体积百分比浓度为10％～70％，所述润湿处理采用的温度为20摄氏度～100摄氏度，润湿处理的时间5s～120s。若所述润湿处理采用的双氧水溶液的体积百分比浓度低于10％，导致若后续硫酸和双氧水的混合溶液中部分硫酸先被喷射出来时，所述润湿处理采用的双氧水溶液不能充分的和该先喷射出来的硫酸反应，导致该先喷射出来的硫酸中仍有剩余的硫酸和接触孔底部的导电层发生反应，增加所述接触孔底部导电层的电阻；若所述润湿处理采用的双氧水溶液的体积百分比浓度高于70％，导致所述双氧水溶液不易保存，难以被利用；若所述润湿处理的温度超过100摄氏度，导致工艺条件受到限制；若所述润湿处理的温度低于20摄氏度，使得所述润湿处理的速率降低；若所述润湿处理的时间小于5s，导致双氧水溶液不能充分的润湿基底表面和接触孔内壁；若所述润湿处理的时间大于120s，导致工艺效率降低，工艺成本增加。

本实施例中，由于采用润湿剂对所述基底和所述接触孔进行润湿处理，使得原来高能表面的基底表面和接触孔内壁被水膜覆盖，降低了基底表面和所述接触孔内壁的表面能。

需要说明的是，硫酸和双氧水的混合溶液中的硫酸和双氧水在混合之前，由于不能精确控制工艺误差，硫酸可能先于双氧水进入混合管道中，使得在混和管道的前端有部分硫酸存在，在混和管道的前端的硫酸会被首先喷射出来而接触到接触孔内壁，使得硫酸与接触孔底部的导电层(如金属硅化物层)反应而增加导电层的电阻。当所述润湿剂为双氧水溶液时，在硫酸和双氧水的混合溶液清洗接触孔之前，使得接触孔内壁首先接触双氧水溶液，双氧水溶液不易与接触孔底部的导电层发生反应，即使因为工艺误差使得硫酸和双氧水的混合溶液中存在的部分硫酸先被喷射出来，这部分硫酸和接触孔底部首先接触的双氧水溶液反应形成磺酸，对接触孔中的残留物进行清洗，从而 避免了硫酸首先和接触孔内壁接触引起的硫酸与接触孔底部的导电层反应。

执行步骤S12后，执行步骤S13，通过气体喷射工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

由于基底表面和所述接触孔内壁的表面能降低，使得基底表面和所述接触孔内壁与硫酸和双氧水的混合溶液的润湿性变差、界面间的粘附性降低，从而使得硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔的阻力减小，提高了硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中的效率，提高了对接触孔中残留物的清洗效果。

气体喷射工艺指的是：通过气泵给予药液动力，且在药液流动的管道前端的喷头中具有通入高压气体的通道，将所述高压气体通过所述通道施加给所述药液，将所述药液喷射在晶圆表面，使得所述药液对晶圆表面产生高的冲击力。

本实施例中，所述高压气体为N₂，所述药液为硫酸和双氧水的混合溶液，采用气体喷射工艺使得N₂给予硫酸和双氧水的混合溶液高的压强，将所述硫酸和双氧水的混合溶液喷射到基底表面和所述接触孔内，使得所述硫酸和双氧水的混合溶液对基底表面和接触孔内壁产生高的冲击力。

在所述硫酸和双氧水的混合溶液中，硫酸和双氧水发生反应形成磺酸和水，具体的反应式如下：

H₂O₂+H₂SO₄＝HO-(SO₂)-O-OH+H₂O

硫酸和双氧水发生反应形成的磺酸能够和接触孔中的含碳有机物反应形成副产物，所述副产物溶解在所述磺酸中，并在后续去离子水冲洗接触孔的过程中排出接触孔。

若硫酸和双氧水的体积百分比超过2:1或者低于1:4，硫酸和双氧水不能不能充分的被利用而反应，导致形成磺酸的量相对硫酸和双氧水的混合溶液的量过小，严重降低磺酸溶解含碳有机物的效率，从而降低了对接触孔的清洗效果；故选择硫酸和双氧水的体积百分比为2:1～1:4。若硫酸和双氧水的温度低于60摄氏度，导致硫酸和双氧水反应速率过慢，形成的磺酸的量相对硫酸和双氧水的混合溶液的量过小，严重降低磺酸溶解含碳有机物的效率；若硫酸和双氧水的温度高于230摄氏度，导致反应速率过快，不能有效的控制 反应过程；故选择硫酸和双氧水的温度为60摄氏度～230摄氏度。

若喷射硫酸和双氧水的混合溶液的气体喷射工艺采用的N₂的流量小于5000sccm，导致硫酸和双氧水的混合溶液的冲击力较小，不能有效的进入所述接触孔内；受到硬件性能限制，喷射硫酸和双氧水的混合溶液的气体喷射工艺采用的N₂的流量不能大于100000sccm。故喷射硫酸和双氧水的混合溶液的气体喷射工艺采用的N₂的流量选择为5000sccm～100000sccm。

施加N₂的压强于硫酸和双氧水的混合溶液之前，硫酸和双氧水的混合溶液的流量为1L/分钟～3L/分钟。

执行步骤S13后，执行步骤S14，用去离子水冲洗接触孔。

用去离子水冲洗接触孔的作用为：将硫酸和双氧水的混合溶液清洗接触孔后形成的副产物、基底表面和接触孔内壁的硫酸和双氧水的混合溶液去除，以进行后续采用其它药液对接触孔清洗的步骤。

用去离子水冲洗接触孔所采用的去离子水的流量为1L/分钟～3L/分钟，温度为20摄氏度～100摄氏度。

本实施例中，由于采用气体喷射工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗，所述气体喷射采用高压气体喷射硫酸和双氧水的混合溶液，使得硫酸和双氧水的混合溶液具有较大的冲击力而更易于进入接触孔中，更加有效的去除接触孔中的残留物。

第二实施例

第二实施例与第一实施例的区别在于：采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔的工艺为：通过扫描喷射工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。关于第二实施例与第一实施例中相同的部分，不再详述。

图2是本发明第二实施例中接触孔清洗的方法的流程图。

执行步骤S21，提供基底，所述基底中具有接触孔。

步骤S21的实施参照第一实施例的步骤S11。

执行步骤S22，对所述基底和所述接触孔进行润湿处理。

步骤S22的实施参照第一实施例的步骤S12。

执行步骤S22后，执行步骤S23，通过扫描喷射工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

所述扫描喷射工艺指的是：采用机械手臂夹持喷头使所述喷头在晶圆上方移动，在所述喷头移动的同时，晶圆以晶圆的圆心为中心做平面旋转，将药液喷射到晶圆表面。具体的，所述喷头的移动通过机械手臂的转动来实现，所述机械手臂的转动过程为：所述机械手臂有两端，所述机械手臂的一端夹持有用于喷射药液的喷头，机械手臂的另一端固定在晶圆外的固定点，机械手臂以通过所述固定点且垂直于晶圆表面的轴线为转动轴进行转动。通过所述机械手臂的转动使得所述喷头从晶圆上方一侧起始点开始移动，并通过晶圆圆心移动到晶圆上方另一侧终止点，再从所述终止点逆向移动到所述起始点，重复该移动动作，从而对所述晶圆进行扫描喷射。从所述起始点移动到所述终止点或者从所述终止点移动到所述起始点为扫描一次。采用扫描喷射工艺使得药液均匀的喷射在晶圆表面。

本实施例中，所述药液为硫酸和双氧水的混合溶液，采用扫描喷射工艺将硫酸和双氧水的混合溶液均匀的喷射在基底表面和接触孔内。

若硫酸和双氧水的体积百分比超过2:1或者低于1:4，硫酸和双氧水不能不能充分的被利用而反应，导致形成磺酸的量相对硫酸和双氧水的混合溶液的量过小，严重降低磺酸溶解含碳有机物的效率，从而降低了对接触孔的清洗效果；故选择硫酸和双氧水的体积百分比为2:1～1:4。若硫酸和双氧水的温度低于60摄氏度，导致硫酸和双氧水反应速率过慢，形成的磺酸的量相对硫酸和双氧水的混合溶液的量过小，严重降低磺酸溶解含碳有机物的效率；若硫酸和双氧水的温度高于230摄氏度，导致反应速率过快，不能有效的控制反应过程；故选择硫酸和双氧水的温度为60摄氏度～230摄氏度。

若所述扫描喷射工艺的速率低于10s/次，导致对基底不同位置的接触孔进行喷射的均匀性差；若所述扫描喷射工艺的速率高于2s/次，导致工艺条件受到限制，故所述扫描喷射工艺的速率选择为2s/次～10s/次。

硫酸和双氧水的混合溶液的流量为1L/分钟～3L/分钟。

执行步骤S23后，执行步骤S24，用去离子水冲洗接触孔。

步骤S24的实施参照第一实施例的步骤S14。

本实施例中，由于采用扫描喷射工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗，对基底不同位置的接触孔进行均匀的喷射，使得在基底不同位置的接触孔均能得到有效的清洗。

第三实施例

第三实施例与第一实施例的区别在于：采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔的工艺为：采用气体喷射和扫描喷射结合的工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。关于第三实施例与第一实施例中相同的部分，不再详述。

图3是本发明第三实施例中接触孔清洗的方法的流程图。

执行步骤S31，提供基底，所述基底中具有接触孔。

步骤S31的实施参照第一实施例的步骤S11。

执行步骤S32，对所述基底和所述接触孔进行润湿处理。

步骤S32的实施参照第一实施例的步骤S12。

执行步骤S32后，执行步骤S33，采用气体喷射和扫描喷射结合的工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

气体喷射和扫描喷射结合的工艺指的是：在所述扫描喷射工艺的基础上，在扫描喷射工艺采用的喷头中，通入高压气体对药液施加高压，使得药液具有高的冲击力。采用气体喷射和扫描喷射结合的工艺使得药液均匀的喷射在晶圆表面且产生高的冲击力。

本实施例中，所述药液为硫酸和双氧水的混合溶液，所述高压气体为N₂，采用气体喷射和扫描喷射结合的工艺将N₂均匀的喷射在晶圆表面且产生高的冲击力。

若所述气体喷射和扫描喷射结合的工艺采用的N₂的流量小于5000sccm，导致硫酸和双氧水的混合溶液的冲击力较小，不能有效的进入所述接触孔内； 受到硬件性能限制，所述气体喷射和扫描喷射结合的工艺采用的N₂的流量不能大于100000sccm。故所述气体喷射和扫描喷射结合的工艺采用的N₂的流量选择为5000sccm～100000sccm。

若所述气体喷射和扫描喷射结合的工艺的扫描速率低于10s/次，导致对基底不同位置的接触孔进行喷射的均匀性差，若采用气体喷射和扫描喷射结合的工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液的速率高于2s/次，导致工艺条件受到限制，故所述气体喷射和扫描喷射结合的工艺的扫描速率选择为2s/次～10s/次。

施加N₂的压强于硫酸和双氧水的混合溶液之前，硫酸和双氧水的混合溶液的流量为1L/分钟～3L/分钟。

执行步骤S33后，执行步骤S34，用去离子水冲洗接触孔。

步骤S34的实施参照第一实施例的步骤S14。

本实施例中，由于采用气体喷射和扫描喷射结合的工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗，使得对于在基底中不同区域的接触孔，硫酸和双氧水的混合溶液均具有较大的冲击力而更易于进入接触孔中，进一步提高了对接触孔清洗的效果。

第四实施例

第四实施例与第一实施例的区别在于：用去离子水冲洗接触孔后，采用气体喷射工艺喷射去离子水进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。关于第四实施例与第一实施例中相同的部分，不再详述。

执行步骤S41，提供基底，所述基底中具有接触孔。

步骤S41的实施参照第一实施例的步骤S11。

执行步骤S42，对所述基底和所述接触孔进行润湿处理。

步骤S42的实施参照第一实施例的步骤S12。

执行步骤S42后，执行步骤S43，通过气体喷射工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

执行步骤S43的实施参照第一实施例的步骤S13。

执行步骤S43后，执行步骤S44，用去离子水冲洗接触孔。

步骤S44的实施参照第一实施例的步骤S14。

执行步骤S45，用去离子水冲洗接触孔后，采用气体喷射工艺喷射去离子水进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

所述气体喷射工艺喷射去离子水采用的气体为N₂。

若喷射去离子水的气体喷射工艺采用的N₂的流量小于5000sccm，导致去离子水的冲击力较小，不能进一步有效的对接触孔进行清洗；受到硬件性能限制，喷射去离子水的气体喷射工艺采用的N₂的流量不能大于100000sccm。故喷射去离子水的气体喷射工艺采用的N₂的流量选择为5000sccm～100000sccm。

采用气体喷射工艺喷射的去离子水的温度为20摄氏度～100摄氏度。

施加N₂的压强于去离子水之前，去离子水的流量为30mL/分钟～3L/分钟。

第五实施例

第五实施例与第二实施例的区别在于：用去离子水冲洗接触孔后，采用气体喷射工艺喷射去离子水进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。关于第五实施例与第二实施例中相同的部分，不再详述。

执行步骤S51，提供基底，所述基底中具有接触孔。

步骤S51的实施参照第二实施例的步骤S21。

执行步骤S52，对所述基底和所述接触孔进行润湿处理。

步骤S52的实施参照第二实施例的步骤S22。

执行步骤S52后，执行步骤S53，通过气体喷射工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

步骤S53的实施参照第二实施例的步骤S23。

执行步骤S53后，执行步骤S54，用去离子水冲洗接触孔。

步骤S54的实施参照第二实施例的步骤S24。

执行步骤S55，用去离子水冲洗接触孔后，采用气体喷射工艺喷射去离子水进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

所述气体喷射工艺喷射去离子水采用的气体为N₂。若喷射去离子水的气体喷射工艺采用的N₂的流量小于5000sccm，导致去离子水的冲击力较小，不能进一步有效的对接触孔进行清洗；受到硬件性能限制，喷射去离子水的气体喷射工艺采用的N₂的流量不能大于100000sccm。故喷射去离子水的气体喷射工艺采用的N₂的流量选择为5000sccm～100000sccm。

采用气体喷射工艺喷射的去离子水的温度为20摄氏度～100摄氏度。

施加N₂的压强于去离子水之前，去离子水的流量为30mL/分钟～3L/分钟。

第六实施例

第六实施例与第三实施例的区别在于：用去离子水冲洗接触孔后，采用气体喷射工艺喷射去离子水进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。关于第六实施例与第三实施例中相同的部分，不再详述。

执行步骤S61，提供基底，所述基底中具有接触孔。

步骤S61的实施参照第三实施例的步骤S31。

执行步骤S62，对所述基底和所述接触孔进行润湿处理。

步骤S62的实施参照第三实施例的步骤S32。

执行步骤S62后，执行步骤S63，采用气体喷射和扫描喷射结合的工艺喷射硫酸和双氧水的混合溶液进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

步骤S63的实施参照第三实施例的步骤S33。

执行步骤S63后，执行步骤S64，用去离子水冲洗接触孔。

步骤S64的实施参照第三实施例的步骤S34。

执行步骤S65，用去离子水冲洗接触孔后，采用气体喷射工艺喷射去离子水进入接触孔中，对所述接触孔进行清洗。

所述气体喷射工艺喷射去离子水采用的气体为N₂。若喷射去离子水的气 体喷射工艺采用的N₂的流量小于5000sccm，导致去离子水的冲击力较小，不能进一步有效的对接触孔进行清洗；受到硬件性能限制，喷射去离子水的气体喷射工艺采用的N₂的流量不能大于100000sccm。故喷射去离子水的气体喷射工艺采用的N₂的流量选择为5000sccm～100000sccm。

采用气体喷射工艺喷射的去离子水的温度为20摄氏度～100摄氏度。

施加N₂的压强于去离子水之前，去离子水的流量为30mL/分钟～3L/分钟。

需要说明的是，用去离子水冲洗接触孔后，可能残留部分硫酸和双氧水的混合溶液、以及残留部分硫酸和双氧水的混合溶液清洗接触孔后形成的副产物，若所述残留的硫酸和双氧水的混合溶液和所述副产物没有被去离子水完全冲洗排出接触孔，会影响后续采用其它药液对接触孔进一步清洗的步骤的实施。在第四实施例、第五实施例和第六实施中，用去离子水冲洗接触孔后，采用气体喷射工艺喷射去离子水对接触孔内壁进行清洗，采用气体喷射工艺喷射的去离子水具有较高的冲击力，能够将残留的硫酸和双氧水的混合溶液及所述副产物去除，提高了接触孔中硫酸和双氧水的混合溶液及所述副产物的去除率。

需要说明的是，本发明中使用的氮气的纯度指标为杂质气体的含量小于等于10ppb。

需要说明的是，实际的工艺中，在基底中形成接触孔后，接触孔中还存在含氧化物的颗粒需要去除，去除所述含氧化物的颗粒采用的溶液为氨水和双氧水的混合溶液，所述氨水、双氧水和水的体积百分比浓度为1:1:10～1:1:200，温度为20摄氏度～80摄氏度，氨水和双氧水的混合溶液的流量为1L/分钟～3L/分钟。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。