1.一种背照式(BSI)图像传感器，包括：
像素传感器，布置在半导体衬底内；
金属栅格部分，布置在所述像素传感器上方，并且所述金属栅格部分中具有金属栅格开口，其中，所述金属栅格部分具有金属栅格高度；以及
介电栅格部分，布置在所述金属栅格部分上方，并且所述介电栅格部分中具有介电栅格开口，其中，所述介电栅格部分具有介电栅格高度；
其中，所述介电栅格高度与所述金属栅格高度的比率介于约1.0至约8.0之间。
2.根据权利要求1所述的BSI图像传感器，还包括：
滤色器，布置在所述介电栅格开口内并且具有滤色器高度；
其中，所述介电栅格高度与所述滤色器高度的比率介于约0.1至约2.0之间。
3.根据权利要求1所述的BSI图像传感器，其中，所述介电栅格高度与所述金属栅格高度的比率介于约3.0至约6.0之间。
4.根据权利要求1所述的BSI图像传感器，其中，所述金属栅格部分和所述介电栅格部分分别具有顶部金属栅格宽度和顶部介电栅格宽度，并且所述顶部介电栅格宽度与所述顶部金属栅格宽度的比率为约0.1至约2.0。
5.根据权利要求1所述的BSI图像传感器，其中，所述介电栅格部分具有顶部介电栅格宽度，所述金属栅格开口具有底部金属栅格开口宽度，并且其中，所述顶部介电栅格宽度与所述底部金属栅格开口宽度的比率为约0.1至约0.9。
6.根据权利要求1所述的BSI图像传感器，还包括：
覆盖层，布置在所述金属栅格部分上方以及所述金属栅格部分与所述介电栅格部分之间，并且限定所述介电栅格开口的平坦下表面。
7.根据权利要求1所述的BSI图像传感器，还包括：
缓冲层，布置在所述半导体衬底上方以及所述半导体衬底与所述金属 栅格部分之间；
其中，堆叠栅格结构高度从所述缓冲层的下表面延伸至所述介电栅格部分的上表面，其中，所述金属栅格开口具有底部金属栅格开口宽度，并且其中，所述堆叠栅格结构高度与所述底部金属栅格开口宽度的比率为约0.5至约2.0。
8.一种背照式(BSI)图像传感器，包括：
像素传感器，布置在半导体衬底内；
金属栅格部分，布置在所述像素传感器上方，并且所述金属栅格部分中具有金属栅格开口，其中，所述金属栅格部分具有顶部金属栅格宽度，并且所述金属栅格开口具有底部金属栅格开口宽度；以及
介电栅格部分，布置在所述金属栅格部分上方，并且所述介电栅格部分中具有介电栅格开口，其中，所述介电栅格部分具有顶部介电栅格宽度；
其中，满足以下情形中的至少一个：
所述顶部介电栅格宽度与所述顶部金属栅格宽度的比率介于约0.1至约2.0之间；和
所述顶部介电栅格宽度与所述底部金属栅格开口宽度的比率介于约0.1至约0.9之间。
9.一种背照式(BSI)图像传感器，包括：
像素传感器，布置在半导体衬底内；
金属栅格部分，布置在所述像素传感器上方，并且所述金属栅格部分中具有金属栅格开口，其中，所述金属栅格开口具有底部金属栅格开口宽度；以及
介电栅格部分，布置在所述金属栅格部分上方，并且所述介电栅格部分中具有介电栅格开口；
其中，堆叠栅格结构高度从所述半导体衬底与所述金属栅格部分之间延伸至所述介电栅格部分的上表面，并且其中，所述堆叠栅格结构高度与所述底部金属栅格开口宽度的比率为约0.5至约2.0。
10.一种背照式(BSI)图像传感器，包括：
像素传感器，布置在半导体衬底内；
金属栅格部分，布置在所述像素传感器上方，并且所述金属栅格部分中具有金属栅格开口；以及
介电栅格部分，布置在所述金属栅格部分上方，并且所述介电栅格部分中具有介电栅格开口；
其中，所述介电栅格部分的下表面与所述介电栅格部分的侧壁之间的角度为约60度至小于约90度。