1.一种像素传感器器件，包括：
浅沟槽隔离结构；
二极管区域，至少部分地邻近所述浅沟槽隔离结构；
阱区域，位于所述二极管区域内并且邻近所述浅沟槽隔离结构；以及
背面隔离结构，与所述浅沟槽隔离结构自对准并且布置在所述浅沟槽隔离结构上方，所述背面隔离结构邻近所述二极管区域。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述背面隔离结构包括背面填充材料。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述背面填充材料是导电的。
4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述背面填充材料是绝缘的。
5.根据权利要求2所述的器件，其中，从包括钨、铝和氧化物的组选择所述背面填充材料。
6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括多晶硅区，所述多晶硅区邻近所述阱区域、位于所述背面隔离结构下方和位于所述浅沟槽隔离结构之上。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述阱区域包括源极/漏极区域。
8.一种用于制造像素传感器器件的方法，所述方法包括：
在衬底中形成深沟槽；
用填充材料填充所述深沟槽，形成浅沟槽隔离结构；
在所述衬底中形成二极管区域；
从所述器件的背面去除所述衬底的至少一部分；
暴露出所述深沟槽的背面；
从所述深沟槽去除所述填充材料的一部分；以及
用背面填充材料填充所述深沟槽的所述背面。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，填充所述深沟槽的所述背面包括用钨填充所述背面以形成背面深沟槽隔离(BDTI)结构。
10.一种像素传感器器件，包括：
浅沟槽隔离结构；
多晶硅区，设置在所述浅沟槽隔离结构之上；
二极管区域，邻近所述浅沟槽隔离结构；
阱区域，邻近所述浅沟槽隔离结构并且位于所述二极管区域内；
源极/漏极区域，邻近所述浅沟槽隔离结构并且位于所述阱区域内；以及
背面隔离结构，与所述浅沟槽隔离结构自对准并且布置在所述浅沟槽隔离结构上方，所述背面隔离结构邻近所述二极管区域并且所述背面隔离结构的底部与衬底的背面共面。