1.一种加热基座，包括基座、加热丝、冷却盘、连接筒和固定座，其中，所述基座用于承载被加工工件；所述加热丝设置在所述基座中；所述冷却盘叠置在所述基座的底部，用以冷却所述基座；所述固定座设置在所述冷却盘的下方；所述连接筒竖直设置，且分别与所述冷却盘和所述固定座固定连接，其特征在于，所述连接筒包括呈回旋曲线状的筒壁，以延长所述连接筒的热量传导路径。
2.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述筒壁包括N层竖直环壁和N-1层水平环壁，N为大于2的整数，其中，
所述N层竖直环壁沿所述基座的径向间隔排布，且同轴设置；并且，位于最外层的所述竖直环壁的上端与所述冷却盘固定连接，下端和与之相邻、且位于其内侧的竖直环壁的下端通过一层所述水平环壁连为一体；位于最内层的所述竖直环壁的下端与所述固定座固定连接，上端和与之相邻、且位于其外侧的所述竖直环壁的上端通过一层所述水平环壁连为一体；
在其余的所述竖直环壁中，任意一层竖直环壁的上端和与之相邻、且位于其内侧的竖直环壁的上端通过一层所述水平环壁连为一体；任意一层竖直环壁的下端和与之相邻、且位于其外侧的所述竖直环壁的下端通过一层所述水平环壁连为一体。
3.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于，在其余的所述竖直环壁中，各层竖直环壁在所述基座轴向上的长度相等，且在所述基座的径向上交错排列或者相对排列。
4.根据权利要求2所述的加热基座，其特征在于，所述加热丝在水平面内围绕所述基座的轴线螺旋缠绕；
位于最外层的所述竖直环壁的内径大于所述加热丝的最内圈的内径。
5.根据权利要求1所述的加热基座，其特征在于，所述筒壁包括N层竖直环壁和N-1层水平环壁，N为大于2的整数，其中，
所述N-1层水平环壁沿所述基座的轴向间隔排布，且同轴设置；并且，位于最上层的所述水平环壁的外端与其中一层所述竖直环壁的下端连为一体，该层竖直环壁的上端与所述冷却盘固定连接；位于最下层的所述水平环壁的内端与其中另一层所述竖直环壁的上端连为一体，该层竖直环壁的下端与所述固定座固定连接；
在其余的所述水平环壁中，任意一层水平环壁的内端和与之相邻、且位于其上方的水平环壁的内端通过一层竖直环壁连为一体；任意一层水平环壁的外端和与之相邻、且位于其下方的外端通过一层竖直环壁连为一体。
6.根据权利要求5所述的加热基座，其特征在于，所述N-1层水平环壁在所述基座径向上的长度相等，且在所述基座的轴向上交错排列或者相对排列。
7.根据权利要求5所述的加热基座，其特征在于，所述加热丝在水平面内围绕所述基座的轴线螺旋缠绕；
与所述冷却盘固定连接的所述竖直环壁的内径大于所述加热丝的最内圈的内径。
8.根据权利要求1-7任意一项所述的加热基座，其特征在于，在所述基座的下表面形成有凹槽，所述加热丝位于所述凹槽的上方；
所述冷却盘内嵌在所述凹槽中。
9.根据权利要求1-7任意一项所述的加热基座，其特征在于，在所述冷却盘中设置有沿其厚度方向贯穿的第一通孔，且相对应的，在所述固定座中设置有沿其厚度方向贯穿的第二通孔；所述连接筒的内部空间分别与所述第一通孔和所述第二通孔相连通；
所述加热丝的接线以及所述冷却盘中的冷却管路依次由所述第一通孔、所述连接筒的内部空间和所述第二通孔引出所述加热基座。
10.一种半导体加工设备，包括加热腔室，在所述加热腔室内设置有加热基座，用于承载被加工工件，并对其进行加热，其特征在于，所述加热基座采用权利要求1-9任意一项所述的加热基座。