1.一种FinFET器件的自加热测量结构，包括：
半导体衬底；
若干行鳍片，位于所述半导体衬底上；
栅极阵列，位于所述鳍片上方并且环绕所述鳍片，其中，所述栅极阵列的延伸方向垂直于所述鳍片的延伸方向，所述栅极阵列包括若干间隔交替设置的栅极和虚拟栅极；
若干行热变阻层，位于所述栅极阵列的上方并且通过导热材料与所述虚拟栅极相连接。
2.根据权利要求1所述的测量结构，其特征在于，所述热变阻层的延伸方向与所述鳍片的延伸方向平行。
3.根据权利要求1所述的测量结构，其特征在于，所述热变阻层设置于相邻所述鳍片之间间隙的上方。
4.根据权利要求1所述的测量结构，其特征在于，所述热变阻层选用金属层。
5.根据权利要求1所述的测量结构，其特征在于，所述热变阻层通过金属通孔与所述虚拟栅极相连接。
6.根据权利要求1所述的测量结构，其特征在于，所述栅极和所述虚拟栅极之间还设置有接触孔。
7.一种基于权利要求1至6之一所述测量结构的测量方法，包括：
步骤S1：断开所述FinFET器件，以使所述栅极处于断路状态，测量所述热变阻层的电阻值R0；
步骤S2：打开所述FinFET器件，以使所述栅极处于导通状态，并测量所述热变阻层的电阻值R；
步骤S3：根据所述热变阻层电阻的升高以及电阻温度系数α计算所述热变阻层升高后的温度。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中还进一步包括根据所述热变阻层升高后的温度评估所述FinFET器件的自加热情况。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，根据R＝R0[1+α(T-T0)]计算所述热变阻层升高的温度，其中，所述T0为断开所述FinFET器件时所述热变阻层的温度，所述T为打开所述FinFET器件时所述热变阻层的温度。
10.一种电子装置，包括权利要求1至6之一所述的FinFET器件中自加热的测量结构。