技术总结
一种薄膜晶体管(TFT)装置(200)，显示器及薄膜晶体管装置(200)的制造方法。该TFT装置(200)包括第一导电层(204)，其包括栅极(204a)及连接垫(204b)。该TFT装置还包括覆盖该栅极(204a)的第一介电层(206)。该连接垫(204b)从该第一介电层(206)暴露。该TFT装置(200)还包括设置在该第一介电层(206)上且与该栅极(204a)重叠的半导体层(208)。该TFT装置(200)还包括设置在该半导体层(208)及该第一介电层(206)上以暴露该半导体层(208)的第一部分及第二部分及该连接垫(204b)的第二介电层(210)。该TFT装置(200)还包括第二导电层(212)，其包括覆盖该半导体层(208)的该第一部分的源极部(212b)、延伸至该源极部(212b)的像素电极部(212a)、覆盖该半导体层(208)的该第二部分的漏极部(212c)及设置在该连接垫(204b)上并延伸至该漏极部(212c)的互连部(212d)。
技术研发人员：魏鹏;余晓军;袁泽;赵继刚;罗浩俊;刘自鸿
受保护的技术使用者：深圳市柔宇科技有限公司
技术研发日：2015.08.24
技术公布日：2019.11.12