1.一种电子器件，其包括衬底和由纳米间隙间隔的至少两个电极，其中所述至少两个电极由至少一个纳米颗粒桥接，并且其中所述至少一个纳米颗粒具有与所述至少两个电极重叠的重叠面积，所述重叠面积比所述至少一个纳米颗粒的面积的2％大。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述至少一个纳米颗粒具有与所述至少两个电极中的每一个重叠的重叠面积，所述至少一个纳米颗粒与所述至少两个电极中的每一个重叠的重叠面积比所述至少一个纳米颗粒的面积的1％大。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的电子器件，其中，所述纳米间隙具有在0.1纳米至1000纳米，优选0.25纳米至500纳米，更优选1纳米至100纳米，更加优选10纳米至80纳米的范围内的尺寸(d)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，其中，所述纳米间隙具有在1纳米至10毫米，优选5纳米至1毫米，更优选10纳米至100微米，更加优选50纳米至10微米的范围内的长度(L)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子器件，其中，所述至少一个纳米颗粒是大量子点、纳米薄片、纳米棒、纳米片、纳米板、纳米壁、纳米盘、纳米管、纳米条、纳米带或纳米线。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子器件，其中，所述至少一个纳米颗粒是半导体纳米片。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子器件，其还包括在所述至少一个纳米颗粒上的电解质。
8.一种制造根据权利要求1至7中任一项所述的电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：
a)在衬底上形成由在0.1纳米至1000纳米的范围内的纳米间隙间隔的至少两个电极；
b)制备胶体纳米颗粒；
c)可选地，进行纳米颗粒的配体交换过程；
d)将至少一个纳米颗粒沉积到所述纳米间隙上，其中所述至少一个纳米颗粒具有与由纳米间隙间隔的所述至少两个电极重叠的重叠面积，所述重叠面积比所述至少一个纳米颗粒的面积的2％大；
e)如果未执行步骤c)，则进行纳米颗粒的配体交换过程；以及
f)可选地，沉积电解质。
9.根据权利要求8所述的制造电子器件的方法，其中，在衬底上形成由纳米间隙间隔的至少两个电极的方法选自：电迁移、电沉积、机械控制断裂结、电子束光刻、自对准方法、剥离方法、遮蔽方法、在线光刻、纳米管掩模。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的制造电子器件的方法，其中，将至少一个纳米颗粒沉积到纳米间隙上的方法选自：滴铸、旋涂、浸涂、喷涂、丝网印刷、喷墨印刷、溅射技术、蒸发技术、电泳沉积、凹版印刷、挠性版印刷或真空方法。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的制造电子器件的方法，其中，所述纳米颗粒是半导体纳米片。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的电子器件，其中，在所述至少两个电极之间形成pn结。
13.一种根据权利要求1至7中任一项所述的电子器件作为光电检测器、晶体管、光电晶体管、光学调制器、电二极管、光伏太阳能电池或电致发光部件的用途。
14.一种包括根据权利要求1至7中任一项所述的电子器件的产品，其中，所述产品是光电检测器、晶体管、光电晶体管、光调制器、电二极管、光伏太阳能电池或电致发光部件。
15.一种发光二极管，其包括根据权利要求1至7中任一项所述的电子器件。
16.一种激光器，其包括根据权利要求1至7中任一项所述的电子器件。