1.一种形成含碳层的方法，包括以下步骤：
输送溅镀气体到基板，所述基板被定位在第一处理腔室的处理区域中，所述第一处理腔室具有含碳溅镀靶材；
输送能量脉冲到所述溅镀气体，以产生溅镀等离子体，所述溅镀等离子体通过能量脉冲形成，所述能量脉冲具有介于约1W/cm2和约10W/cm2之间的平均功率及小于100μs并且大于30μs的脉冲宽度，所述溅镀等离子体被暴露于小于300高斯的磁场；以及
形成离子化物种，所述离子化物种包含从所述含碳溅镀靶材溅射的含碳材料，其中所述离子化物种在所述基板上形成结晶含碳层。
2.如权利要求1所述的方法，其中生长所述结晶含碳层进一步包括：
提供偏压到所述基板；
在沉积气体存在的情况下形成等离子体，以形成活化的沉积气体，所述沉积气体包含含碳源；以及
输送所述活化的沉积气体到所述基板，以在所述结晶含碳层上形成纳米晶金刚石层。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述沉积气体进一步包含氢源。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述溅镀靶材为石墨靶材。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述基板被保持在低于100摄氏度的温度处。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述结晶含碳层为纳米晶金刚石层。
7.如权利要求2所述的方法，其中所述沉积气体使用微波源来活化。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述能量脉冲介于约10微秒和100微秒之间。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述磁场小于约200高斯。
10.一种用于形成含碳层的方法，包括以下步骤：
输送溅镀气体到基板，所述基板被定位在第一处理腔室的处理区域中，所述第一处理腔室具有石墨靶材；
输送能量脉冲到所述溅镀气体，以产生溅镀等离子体，所述溅镀等离子体通过能量脉冲形成，所述能量脉冲具有介于约1W/cm2和约10W/cm2之间的平均功率及小于100μs的脉冲宽度，所述溅镀等离子体被磁场控制，所述磁场小于300高斯；
形成所述溅镀等离子体，使得中间碳化物层被形成在所述基板上；
将具有所述中间碳化物层的基板移送到第二处理腔室；
输送沉积气体到所述第二处理腔室；
活化所述沉积气体以形成活化的沉积气体，所述沉积气体包含CH4、H2、Ar、CO2、或上述各项的组合；
输送所述活化的沉积气体到基板；以及
在所述基板的表面上生长纳米晶金刚石层。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述基板被保持在介于约2毫托和约20毫托之间的压力处。
12.如权利要求10所述的方法，其中占空比小于溅镀持续时间的约10％。
13.如权利要求10所述的方法，其中所述沉积气体使用微波源来活化。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述磁场小于约200高斯。
15.一种用于形成含碳层的方法，包括以下步骤：
输送惰性气体到基板，所述基板被定位在PVD处理腔室的处理区域中，所述PVD处理腔室具有石墨溅镀靶材；
将所述PVD处理腔室保持在低于100摄氏度的温度处；
输送能量脉冲到所述溅镀气体，以产生溅镀等离子体，所述溅镀等离子体具有溅镀持续时间，所述能量脉冲具有介于1W/cm2和10W/cm2之间的平均功率、大于所述平均功率的脉冲电压、及小于100μs的脉冲宽度，所述溅镀等离子体被磁场控制，所述磁场小于或等于200高斯；以及
输送所述溅镀等离子体到所述石墨溅镀靶材，以在所述基板上形成纳米晶金刚石层。