1.一种氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，包括：
在反应炉内在衬底(11)的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；
在所述第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13、213)的第2氮化物半导体层形成工序；和
在所述第2氮化物半导体层(13、213)的上表面形成与所述第2氮化物半导体层(13、213)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14、14B)的第3氮化物半导体层形成工序，
所述第2氮化物半导体层形成工序与所述第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，所述第3氮化物半导体层形成工序与所述第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于：
所述第2氮化物半导体层形成工序具有：
形成第4氮化物半导体层(13A)的第4氮化物半导体层形成工序；和
在所述第4氮化物半导体层(13A)的上方形成第5氮化物半导体层(13C)的第5氮化物半导体层形成工序，
所述第5氮化物半导体层形成工序的衬底温度比所述第4氮化物半导体层形成工序的衬底温度高，
所述第5氮化物半导体层形成工序的炉内压力比所述第4氮化物半导体层形成工序的炉内压力低。
3.如权利要求2所述的氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于：
所述第2氮化物半导体层形成工序具有在所述第4氮化物半导体层(13A)与所述第5氮化物半导体层(13C)之间形成第6氮化物半导体层(13B)的第6氮化物半导体层形成工序，
所述第6氮化物半导体层形成工序的衬底温度，从与所述第4氮化物半导体层形成工序的衬底温度相同的温度逐渐变化至与所述第5氮化物半导体层形成工序的衬底温度相同的温度，
所述第6氮化物半导体层形成工序的炉内压力，从与所述第4氮化物半导体层形成工序的炉内压力相同的压力逐渐变化至与所述第5氮化物半导体层形成工序的炉内压力相同的压力。
4.如权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于：
所述第2氮化物半导体层(13、213)由GaN构成，
所述第3氮化物半导体层(14B)由AlxGa1-xN构成，其中0＜x＜1。
5.一种氮化物半导体层叠体，其特征在于，包括：
衬底(11)；
在所述衬底(11)的上方形成的第1氮化物半导体层(12)；
在所述第1氮化物半导体层(12)的上方形成的第2氮化物半导体层(13、213)；和
形成在所述第2氮化物半导体层(13、213)的上表面，与所述第2氮化物半导体层(13、213)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14、14B)，
所述第2氮化物半导体层(13、213)和所述第3氮化物半导体层(14、14B)，以所述第2氮化物半导体层(13、213)的形成与所述第3氮化物半导体层(14、14B)的形成之间不被中断，所述第3氮化物半导体层(14、14B)的形成与所述第2氮化物半导体层(13、213)的形成连续地被实施的方式形成。
6.如权利要求5所述的氮化物半导体层叠体，其特征在于：
所述第2氮化物半导体层(13、213)具有：
碳浓度小于5×1016/cm3的第4氮化物半导体层(13A)；和
形成在所述第4氮化物半导体层(13A)的上方，碳浓度为5×1016/cm3以上且小于1×1018/cm3的第5氮化物半导体层(13C)。
7.如权利要求6所述的氮化物半导体层叠体，其特征在于：
包括在所述第4氮化物半导体层(13A)与所述第5氮化物半导体层(13C)之间形成的第6氮化物半导体层(13B)，
所述第6氮化物半导体层(13B)的碳浓度，在所述第4氮化物半导体层(13A)与所述第6氮化物半导体层(13B)的界面附近与所述第4氮化物半导体层(13A)的碳浓度大致相等，并且在所述第5氮化物半导体层(13C)与所述第6氮化物半导体层(13B)的界面附近与所述第5氮化物半导体层(13C)的碳浓度大致相等，并且随着从所述第6氮化物半导体层(13B)的下部侧向所述第6氮化物半导体层(13B)的上部侧前进而逐渐增加。
8.如权利要求5至7中任一项所述的氮化物半导体层叠体，其特征在于：
所述第2氮化物半导体层(13、213)由GaN构成，
所述第3氮化物半导体层(14B)由AlxGa1-xN构成，其中，0＜x＜1。
9.如权利要求5至8中任一项所述的氮化物半导体层叠体，其特征在于：
在所述第3氮化物半导体层(14、14B)的上表面，由原子力显微镜得到的表面粗糙度在1μm见方的扫描范围内为0.5nm以下。