1.一种半导体装置，其是以形成薄膜晶体管的方式层叠有包含由氧化物半导体构成的半导体层的多个层的半导体装置，该半导体装置的特征在于：
在所述半导体层中，表示纯金属与所述氧化物半导体的所有构成成分的比例的纯金属比率，与所述半导体层的主体中相比，在所述半导体层的与所述半导体层的上层的界面更高。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述界面中的所述半导体层的图案的周缘部的纯金属比率比所述主体中的纯金属比率高。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述界面中的所述半导体层的图案的上表面部的纯金属比率比所述主体中的纯金属比率高。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述界面中的所述半导体层的图案的周缘部的纯金属比率和所述界面中的所述半导体层的图案的上表面部的纯金属比率这两者，比所述主体中的纯金属比率高。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
作为所述半导体层的上层，形成有用于保护所述半导体层的钝化膜。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
作为所述半导体层的上层，形成有用于将所述薄膜晶体管的栅极电极与所述半导体层绝缘的绝缘膜。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体层的上层由氧化硅膜构成。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述氧化物半导体为氧化铟镓锌。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：
所述氧化铟镓锌具有结晶性。
10.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置是以形成薄膜晶体管的方式层叠有包含由氧化物半导体构成的半导体层的多个层的半导体装置，该制造方法的特征在于，包括：
形成所述半导体层的半导体层形成步骤；和
形成所述半导体层的上层的上层形成步骤，
在所述上层形成步骤中，以使得在所述半导体层中，表示纯金属与所述氧化物半导体的所有构成成分的比例的纯金属比率，与所述半导体层的主体中相比，在所述半导体层的与所述半导体层的上层的界面更高的方式，进行所述上层的成膜。
11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：
在所述上层形成步骤中，以使得所述界面中的所述半导体层的图案的周缘部的纯金属比率比所述主体中的纯金属比率高的方式，进行所述上层的成膜。
12.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：
在所述上层形成步骤中，以使得所述界面中的所述半导体层的图案的上表面部的纯金属比率比所述主体中的纯金属比率高的方式，进行所述上层的成膜。
13.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：
在所述上层形成步骤中，以使得所述界面中的所述半导体层的图案的周缘部的纯金属比率和所述界面中的所述半导体层的图案的上表面部的纯金属比率这两者比所述主体中的纯金属比率高的方式，进行所述上层的成膜。
14.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：
在所述上层形成步骤中，作为所述半导体层的上层，形成钝化膜。
15.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：
在所述上层形成步骤中，作为所述半导体层的上层，形成用于将所述薄膜晶体管的栅极电极与所述半导体层绝缘的绝缘膜。
16.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：
所述半导体层的上层由氧化硅膜构成。
17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于：
在所述上层形成步骤中，形成所述氧化硅膜时的成膜温度设定为150度以上250度以下。
18.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于：
在所述上层形成步骤中，形成所述氧化硅膜时的成膜功率设定为800W以上。
19.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于：
在所述上层形成步骤中，对所述氧化硅膜实施烘焙处理时的烘焙温度设定为250度以上350度以下。