光电子部件及用于制造所述光电子部件的方法与流程

本发明涉及一种如专利权利要求1所述的光电子部件并且涉及一种如专利权利要求14所述的用于制造光电子部件的方法。

本专利申请要求德国专利申请102014116079.7的优先权，德国专利申请102014116079.7的公开内容以参考的方式据此合并入本文中。

背景技术：

从现有技术中已知具有不同壳体变体的光电子部件，例如发光二极管部件。举例来说，已知如下的光电子部件，在所述光电子部件中，光电子半导体芯片嵌入到形成支撑壳体元件的模制主体中。此类光电子部件包括非常紧凑的外部尺寸。

技术实现要素：

本发明的一个目的是提供一种光电子部件。该目的借助于包括权利要求1的特征的光电子部件来实现。本发明的另一目的是具体说明一种用于制造光电子部件的方法。该目的借助于包括权利要求14的特征的方法来实现。在从属权利要求中具体说明了各种改进方案。

一种光电子部件包括复合主体，复合主体包括模制主体和光电子半导体芯片，光电子半导体芯片嵌入到模制主体中。导电贯通接触件从复合主体的顶侧延伸穿过模制主体至复合主体的底侧。光电子半导体芯片的顶侧至少部分地不被模制主体覆盖。光电子半导体芯片包括在其顶侧上的第一电接触件。第一顶侧金属化物被布置在复合主体的顶侧上，并且将第一电接触件导电地连接到贯通接触件。光电子部件包括上绝缘层，上绝缘层延伸跨过第一顶侧金属化物。另外，光电子部件包括第二顶侧金属化物，第二顶侧金属化物被布置在上绝缘层的上方并且由上绝缘层而相对于第一顶侧金属化物电绝缘。

布置在该光电子部件的复合主体的顶侧上的第二顶侧金属化物可以形成反射镜层，该反射镜层提高光电子部件的复合主体的顶侧的反射性。因此，有利地降低了复合主体顶侧上的吸收损耗，由此，光电子部件可以包括高效率。

布置在该光电子部件的复合主体的顶侧上的第二顶侧金属化物另外可以保护该光电子部件的复合主体的材料的以防过度老化，这可以导致该光电子部件的寿命的有利提高。由第二顶侧金属化物也可以保护该光电子部件的其它有机组成部分（例如上绝缘层）以防过度老化。

在光电子部件的一个实施例中，上绝缘层还延伸跨过光电子半导体芯片的顶侧。这有利地简化了上绝缘层的制造。

在光电子部件的一个实施例中，上绝缘层延伸跨过复合主体的整个顶侧。因此，有利的是可以特别简单地制造光电子部件。

在光电子部件的一个实施例中，第二顶侧金属化物延伸跨过光电子半导体芯片的顶侧的一部分。举例来说，第二顶侧金属化物还可以延伸跨过光电子半导体芯片的顶侧的边缘。因此，有利地提高了光电子部件的光电子半导体芯片的顶侧的边缘区域的反射性，由此可降低吸收损耗，这导致光电子部件的效率的提高。因为光电子部件的第二顶侧金属化物由上绝缘层而相对于光电子部件的第一顶侧金属化物电绝缘，所以如下情况是无害的：如果第二顶侧金属化物例如经由布置在光电子半导体芯片的顶侧的边缘区域中的渣屑毛刺（slagburr）导电地连接到光电子半导体芯片的第二电接触件。

在光电子部件的一个实施例中，第二顶侧金属化物不延伸跨过电子半导体芯片的顶侧上的发射区域。因此，有利地，由光电子部件的光电子半导体芯片所发射的电磁辐射没有被第二顶侧金属化物削弱。

在光电子部件的一个实施例中，波长转换材料被布置在复合主体的顶侧上的第二顶侧金属化物所完全地界定的区域中。波长转换材料可以用于例如将光电子部件的光电子半导体芯片所发射的电磁辐射至少部分地转换成不同波长的电磁辐射。布置在光电子部件的复合主体的顶侧上的第二顶侧金属化物可以在第二顶侧金属化物所界定的区域中形成空腔，所述空腔容纳波长转换材料。这有利地导致光电子部件的简单且紧凑的构造。

在光电子部件的一个实施例中，在光电子半导体芯片的顶侧的边缘区域的上方，下绝缘层被布置在光电子半导体芯片的顶侧与第一顶侧金属化物之间。所述下绝缘层防止在光电子部件的光电子半导体芯片的第二电接触件与第一顶侧金属化物之间形成导电连接，这例如由于布置在光电子半导体芯片的顶侧的边缘区域中的渣屑毛刺。因此，防止了在光电子半导体芯片的第一电接触件与第二电接触件之间发生短路。

在光电子部件的一个实施例中，第一底侧金属化物被布置在复合主体的底侧上并且导电地连接到贯通接触件。因此，第一底侧金属化物经由贯通接触件和第一顶侧金属化物而导电地连接到光电子部件的光电子半导体芯片的第一电接触件。第一底侧金属化物可以用于例如光电子部件的电接触。

在光电子部件的一个实施例中，光电子半导体芯片的底侧至少部分地暴露在复合主体的底侧上。在这种情况下，光电子半导体芯片包括在其底侧上的第二电接触件。因此，光电子半导体芯片的在光电子部件的复合主体的底侧上的第二电接触件同样被暴露，这使得光电子部件的光电子半导体芯片的第一电接触成为可能。

在光电子部件的一个实施例中，第二顶侧金属化物导电连接到第二电接触件。举例来说，第二顶侧金属化物可以经由布置在光电子半导体芯片的顶侧的边缘区域中的渣屑毛刺而导电地连接到光电子半导体芯片的第二电接触件。因为第二顶侧金属化物由上绝缘层而相对于第一顶侧金属化物电绝缘，所以有利地，甚至在这种情况下，光电子半导体芯片的第一电接触件与第二电接触件之间不存在短路。

在光电子部件的一个实施例中，第二底侧金属化物被布置在复合主体的底侧上并且导电地连接到第二电接触件。第二底侧金属化物连同第一底侧金属化物使得光电子部件的电接触成为可能。光电子部件可以被设置为例如smt部件以便进行表面安装，例如以便通过回流焊接来进行表面安装。

在光电子部件的一个实施例中，保护二极管嵌入到模制主体中。在这种情况下，第一顶侧金属化物导电地连接到保护二极管。保护二极管可以导致对光电子部件的光电子半导体芯片进行保护以防由于静电放电而损坏。由于将保护二极管嵌入到光电子部件的模制主体中，所以有利地不必将光电子部件连接到外部保护二极管。

在光电子部件的一个实施例中，第二底侧金属化物导电地连接到保护二极管。因此，保护二极管反向平行地与光电子部件的光电子半导体芯片电连接。

一种用于制造光电子部件的方法包括以下步骤：提供光电子半导体芯片，光电子半导体芯片包括在顶侧上的第一电接触件；以及，将光电子半导体芯片嵌入到模制主体中，从而形成复合主体。在这种情况下，光电子半导体芯片的顶侧至少部分地不被模制主体覆盖。所述方法还包括以下步骤：建立导电贯通接触件，导电贯通接触件从复合主体的顶侧延伸穿过模制主体至复合主体的底侧；在复合主体的顶侧上建立第一顶侧金属化物，所述第一顶侧金属化物将第一电接触件导电地连接到贯通接触件；建立上绝缘层，上绝缘层延伸跨过第一顶侧金属化物；以及，在上绝缘层上方建立第二顶侧金属化物，所述第二顶侧金属化物由上绝缘层而相对于第一顶侧金属化物电绝缘。

该方法使得能够制造具有紧凑外部尺寸的光电子部件。建立在光电子部件的复合主体的顶侧上的第二顶侧金属化物可以用作镜层以提高复合主体的顶侧的反射性。因此，降低了光电子部件的复合主体的顶侧上的吸收损耗，由此能够由所述方法获得的光电子部件可以包括高效率。

建立在复合主体的顶侧上的第二顶侧金属化物可以另外地覆盖光电子部件的有机组成部分（例如复合主体），并由此保护它们以防过度老化。因此，能够由所述方法获得的光电子部件可以有利地包括长寿命。

在所述方法的一个实施例中，上绝缘层被建立成如下形式：延伸跨过复合主体的整个顶侧。因此，有利地，所述方法能够特别简单地实施。

在所述方法的一个实施例中，第二顶侧金属化物被建立成第二顶侧金属化物不延伸跨过光电子半导体芯片的顶侧上的发射区域。因此，有利地，第二顶侧金属化物不阻碍能够由所述方法获得的光电子部件的光电子半导体芯片所发射的电磁辐射。

在所述方法的一个实施例中，执行以下步骤来建立第二顶侧金属化物：将光阻剂（photoresist）层布置在上绝缘层上；操作光电子半导体芯片从而使光阻剂层的一部分受到照射；去除光阻剂的一部分从而不覆盖上绝缘层的一部分，其中，光阻剂层的受到照射部分保持在上绝缘层上；在光阻剂层以及上绝缘层的未覆盖部分上建立金属层；以及，去除光阻剂层以及金属层的布置在光阻剂层上的部分。该方法使得能够建立如下的第二顶侧金属化物：具有与光电子半导体芯片的顶侧上的发射区域精确对准的开孔（cutout）。在这种情况下，有利地通过使用光电子半导体芯片来使光阻剂层受到照射而自动地实现精确对准。因此，有利地，不需要另外的复杂测量以便对准。

在所述方法的一个实施例中，所述方法包括另一步骤：将波长转换材料布置在复合主体顶侧上的第二顶侧金属化物所完全界定的区域中。在这种情况下，波长转换材料可以用于将能够由所述方法获得的光电子部件的光电子半导体芯片所发射的电磁辐射至少部分地转换成不同波长的电磁辐射。这可以用于例如产生包括白色效果（whitecolorimpression）的光。将波长转换材料布置在第二顶侧金属化物所完全界定的区域中有利地能够简单地且有成本效益地实施，并且使得能够制造包括紧凑外部尺寸的光电子部件。因为能够使复合主体顶侧上的第二顶侧金属化物所完全界定的区域与光电子半导体芯片顶侧上的辐射发射面精确地对准，所以在此方法中，布置在界定区域中的波长转换材料也与光电子半导体芯片的顶侧上的辐射发射区域精确地对准。

在所述方法的一个实施例中，在建立第一顶侧金属化物之前，执行另一步骤：将下绝缘层布置在光电子半导体芯片的顶侧的边缘区域的上方。在这种情况下，下绝缘层可以覆盖可能存在于光电子半导体芯片的顶侧的边缘区域中并且电连接到光电子半导体芯片的第二电接触件的渣屑毛刺。通过布置下绝缘层，这使得能够防止在光电子半导体芯片的第二电接触件与第一顶侧金属化物之间形成导电连接，由此也避免在光电子半导体芯片的第一电接触件与第二电接触件之间发生短路。

在所述方法的一个实施例中，贯通接触件与光电子半导体芯片一起被共同地嵌入到模制主体中。在这种情况下，可以使模制主体的材料同时地模制在贯通接触件和光电子半导体芯片周围。有利地，这使得能够简单且有成本效益地实施所述方法。

附图说明

联系下面对示例性实施例的描述，本发明的上面所描述的特性、特征和优点以及实现它们的方式将变得更清晰并且被更清楚地理解，联系附图，更详细地说明所述示例性实施例。这里，在各示意性示图中：

图1示出了第一光电子部件的平面图；

图2示出了第一光电子部件的截面侧视图；

图3示出了第二光电子部件的平面图；

图4示出了第三光电子部件的截面侧视图。

具体实施方式

图1示出了第一光电子部件10的示意性的且部分透明显示的平面图。图2示出了第一光电子部件10的示意性截面侧视图，其中，沿图1中所示的截面i-i剖切第一光电子部件10。第一光电子部件10可以例如是提供发射电磁辐射（例如可见光）的发光二极管部件（led部件）。

第一光电子部件10包括复合主体100。复合主体100由模制主体200形成，光电子半导体芯片300、贯通接触件400、以及保护二极管500嵌入到模制主体200中。

模制主体200包括电绝缘模制材料。模制材料可以包括例如环氧树脂和/或硅酮（silicone）。模制主体200也可以被称为模具主体，并且优选地借助于模制法（模具法）来制造，例如借助于压缩模制（compressionmolding）或借助于传递模制（transfermolding）来制造，具体地例如借助于箔辅助传递模制（foil-assistedtransfermolding）来制造。优选地，已经在模制主体200的制造期间借助于被模制在光电子半导体芯片300、贯通接触件400以及保护二极管500周围的模制主体200的材料来将光电子半导体芯片300、贯通接触件400以及保护二极管500嵌入到模制主体200中。

光电子半导体芯片300的顶侧301、贯通接触件400的顶侧401以及保护二极管500的顶侧501各自至少部分地不被模制主体200的材料覆盖，而是至少部分地暴露在模制主体200的顶侧201上。优选地，光电子半导体芯片300的顶侧301、贯通接触件400的顶侧401以及保护二极管500的顶侧501以与模制主体200的顶侧201大体上齐平的方式而终止。模制主体200的顶侧201、光电子半导体芯片300的顶侧301、贯通接触件400的顶侧401以及保护二极管500的顶侧501共同地形成复合主体100的顶侧101。

光电子半导体芯片300的位于光电子半导体芯片300的顶侧301的相对侧的底侧302、贯通接触件400的位于贯通接触件400的顶侧401的相对侧的底侧402以及保护二极管500的位于保护二极管500的顶侧501的相对层的底侧也至少部分地不被模制主体200的材料覆盖。因此，光电子半导体芯片300的底侧302、贯通接触件400的底侧402以及保护二极管500的底侧至少部分地暴露在模制主体200的位于模制主体200的顶侧201的相对侧的底侧202上。优选地，光电子半导体芯片300的底侧302、贯通接触件400的底侧402以及保护二极管500的底侧以与模制主体200的底侧202大体上齐平的方式而终止。模制主体200的底侧202、光电子半导体芯片300的底侧302、贯通接触件400的底侧402以及保护二极管500的底侧共同地形成复合主体100的底侧102。

光电子半导体芯片300可以例如是发光二极管芯片（led芯片）并且被构造成发射电磁辐射（例如可见光）。光电子半导体芯片300包括在其顶侧301上的台面（mesa）330，在光电子半导体芯片300的操作期间在所述台面处发射电磁辐射。因此，光电子半导体芯片300的顶侧301上的台面的区域形成光电子半导体芯片300的辐射发射面。

在光电子半导体芯片300的顶侧301上，光电子半导体芯片300包括第一电接触件310。在光电子半导体芯片300的底侧302上，光电子半导体芯片300包括第二电接触件320。经由第一电接触件310和第二电接触件320，可以将电压施加到光电子半导体芯片300并且可以使电流传导通过光电子半导体芯片300，从而导致光电子半导体芯片300发射电磁辐射。

光电子半导体芯片300包括侧壁，侧壁从光电子半导体芯片300的顶侧301延伸至底侧302。在光电子半导体芯片300的顶侧301与侧壁之间的边缘区域340中，光电子半导体芯片300可以包括制造决定的渣屑毛刺（slagburr）350，渣屑毛刺350导电地连接到光电子半导体芯片300的底侧302上的第二电接触件320并且可以在光电子半导体芯片300的顶侧301的上方隆起，例如沿垂直于顶侧301的方向隆起多达20µm。在这种情况下，必须避免在光电子半导体芯片300的第一电接触件310与渣屑毛刺350之间形成导电连接，从而避免在光电子半导体芯片300的第一电接触件310与第二电接触件320之间发生短路。

贯通接触件400包含导电材料，例如金属或掺杂半导体材料。在贯通接触件400的顶侧401与底侧402之间存在导电连接。因此，贯通接触件400形成复合主体100的顶侧101与复合主体100的底侧102之间的延伸穿过模制主体200的导电连接。

代替在形成模制主体200期间已将贯通接触件400与光电子半导体芯片300和保护二极管500共同地嵌入到模制主体200中，也可以仅在形成模制主体200之后通过如下方式来建立开口：首先建立从模制主体200的顶侧201延伸穿过模制主体200至模制主体200的底侧202的开口，并随后使用导电材料填充所述开口。

提供保护二极管500来保护光电子部件10的光电子半导体芯片300以防由于静电放电而损坏。为了这个目的，以在下面得到更加详细说明的方式将保护二极管500反向平行地与第一光电子部件10中的光电子半导体芯片300连接。在简化的实施例中，可以将保护二极管500省略。

下绝缘层150被布置在复合主体100的顶侧101上。下绝缘层150包括电绝缘材料。下绝缘层150在顶侧301的边缘区域340中延伸跨过光电子半导体芯片300的顶侧301的一部分并且延伸跨过模制主体200的顶侧201的邻接前述部分的一部分。在这种情况下，下绝缘层150被布置在复合主体100的顶侧101的如下的部分中，所述部分位于光电子半导体芯片300的第一电接触件310与贯通接触件400的顶侧401之间。沿维度垂直于复合主体100的顶侧101的方向，下绝缘层150包括大到足以确保下绝缘层150所覆盖的渣屑毛刺350被下绝缘层150完全地覆盖的厚度。

在复合主体100的顶侧101上建立和摹制（pattern）下绝缘层150可以例如借助于掩膜光刻法（mask-lithographicmethod）来实施。

第一顶侧金属化物110被布置在第一光电子部件10的复合主体100的顶侧101的部分区域上。第一顶侧金属化物110包括导电材料，并且在光电子半导体芯片300的顶侧301上的第一电接触件310、贯通接触件400的顶侧401以及保护二极管500的顶侧501之间形成导电连接。在这种情况下，第一顶侧金属化物110在光电子半导体芯片300的第一电接触件310与贯通接触件400的顶侧401之间的区域中延伸跨过下绝缘层150。因此，下绝缘层150使第一顶侧金属化物110相对于光电子半导体芯片300的顶侧301的边缘区域340中的可能的渣屑毛刺350电绝缘，并因此也相对于光电子半导体芯片300的第二电接触件320电绝缘。

建立和摹制第一顶侧金属化物110可以例如借助于掩膜光刻法而实施。在下绝缘层150已被建立之后，建立第一顶侧金属化物110。

第一光电子部件10包括上绝缘层160，绝缘层160延伸跨过第一顶侧金属化物110，并且在图示的示例中，也延伸跨过下绝缘层150的不被第一顶侧金属化物110覆盖的部分，并且延伸跨过复合主体100的顶侧101的不被下绝缘层150或第一顶侧金属化物110覆盖的所有部分。具体地，上绝缘层160也可以延伸跨过光电子半导体芯片300的顶侧301上的台面330的区域中的辐射发射面。然而，这不是绝对必须的。必要的是仅在于，上绝缘层160完全地覆盖第一顶侧金属化物110。复合主体100的顶侧101的一些部分可任选地保持暴露。

上绝缘层160包括电绝缘材料。如果上绝缘层160覆盖光电子半导体芯片300的顶侧301上的台面330的区域中的光电子半导体芯片300的辐射发射面，那么上绝缘层160对于光电子半导体芯片300所发射的电磁辐射是光学透明的。上绝缘层160可以包括例如siox、al2o3、ta2o5、有机改性陶瓷（ormocer）或硅酮。

在第一光电子部件10的制造中已建立第一顶侧金属化物110之后，建立上绝缘层160。

第二顶侧金属化物120被布置在第一光电子部件10的上绝缘层160的上方。第二顶侧金属化物120包含导电材料，该导电材料优选地是高度光学反射的。

第二顶侧金属化物120延伸跨过上绝缘层160的大部分。在这种情况下，第二顶侧金属化物120也可以延伸跨过布置在光电子半导体芯片300的顶侧301的边缘区域340的上方的区域。然而，第二顶侧金属化物120不延伸跨过光电子半导体芯片300的顶侧301上的台面330的区域中的辐射发射面。优选地，第二顶侧金属化物120完全地界定光电子半导体芯片300的顶侧301上的辐射发射区域。

由上绝缘层160使第二顶侧金属化物120相对于第一顶侧金属化物110电绝缘。第二顶侧金属化物120可以经由布置在光电子半导体芯片300的顶侧301的边缘区域160中的渣屑毛刺350而导电地连接到光电子半导体芯片300的第二电接触件320。然而，也可以由上绝缘层160使光电子半导体芯片300的顶侧301的边缘区域340中的渣屑毛刺350相对于第二顶侧金属化物120绝缘。

第二顶侧金属化物120可以被布置在上绝缘层160的上方，并且例如借助于光刻法来摹制。具体地，可以例如借助于掩膜光刻法来建立第二顶侧金属化物120。替代地，可以由光刻法来建立第二顶侧金属化物120，在光刻法中，借助于激光来使光阻剂受到直接照射。替代地或另外地，可以借助于电解法来使第二顶侧金属化物120加厚或施加第二顶侧金属化物120。在这种情况下，可以额外地使用包括良好光学反射特性的另外的金属来封装第二顶侧金属化物120。该封装可以例如借助于对封装金属的无电沉积（electrolessdeposition）来实施。

第二顶侧金属化物形成镜，镜提高第一光电子部件10的顶侧的反射性。第一光电子部件10的光电子半导体芯片300所发射的且沿着朝第一光电子部件10的复合主体100的顶侧101的方向反向散射的电磁辐射可以在第二顶侧金属化物120处被反射而不是在复合主体100的顶侧101上被吸收。因此，可以提高第一光电子部件10的效率。

第二顶侧金属化物120覆盖复合主体100的顶侧101（具体地模制主体200的顶侧201）上的有机材料的大部分。因此，第二顶侧金属化物120可以防止第一光电子部件10的复合主体100的有机材料的过度老化，这可以提高第一光电子部件10的寿命。

第一底侧金属化物130被布置在第一光电子部件10的复合主体100的底侧102上。第一底侧金属化物130延伸跨过贯通接触件400的底侧402并且导电地连接到贯通接触件400。因此，经由贯通接触件400和第一顶侧金属化物110，在第一底侧金属化物130与光电子半导体芯片300的第一电接触件310之间存在导电地连接。

另外，第二底侧金属化物140被布置在光电子部件10的复合主体100的底侧102上。第二底侧金属化物140延伸跨过光电子半导体芯片300的底侧302并且导电地连接到在光电子半导体芯片300的底侧302上的第二电接触件320。另外，第二底侧金属化物140延伸跨过保护二极管500的底侧并且导电地连接到保护二极管500的底侧。因此，保护二极管500反向平行地与光电子半导体芯片300电连接。

可以例如借助于掩膜光刻法来建立第一底侧金属化物130和第二底侧金属化物140。在这种情况下，可以共同地建立或以任意顺序依次地建立第一底侧金属化物130和第二底侧金属化物140。可以在建立下绝缘层150、第一顶侧金属化物110、上绝缘层160以及第二顶侧金属化物120之前或之后，建立第一底侧金属化物130和第二底侧金属化物140。

第一底侧金属化物130和第二底侧金属化物140可以用作第一光电子部件10的电接触件。第一光电子部件10可以被设置为例如smt部件以便进行表面安装，例如以便通过回流焊接来进行表面安装。

第一光电子部件10可以在常规工作过程中与相同类型的多个第一光电子部件10以板件装配体的形式共同地制造。为了这个目的，将多个光电子半导体芯片300、贯通接触件400以及保护二极管500嵌入到共同的大的模制主体中。对于光电子半导体芯片300、贯通接触件400以及保护二极管500的各个组，布置下绝缘层150、第一顶侧金属化物110、上绝缘层160、第二顶侧金属化物120以及底侧金属化物130、140在共同的处理步骤中被并行地实施。只有在处理结束时，才对板件装配体进行分割从而分离出单个第一光电子部件10的复合主体100。

图3示出了第二光电子部件20的示意性平面图。除了下面所描述的差异之外，第二光电子部件20对应于图1和2中的第一光电子部件10。因此，对应的零部件在图3中被设置有与在图1和2中相同的附图标记。第二光电子部件20可以参照图1和2由上面所说明的制造方法来制造，只要考虑到下面所描述的差异和特殊的特征。

第二光电子部件20与第一光电子部件10的不同之处在于第二光电子部件20中的第二顶侧金属化物120径直延伸直到台面330，台面330形成光电子半导体芯片300的在光电子半导体芯片300的顶侧301上的辐射发射面。因此，第二光电子部件20包括在其顶侧上的特别少的表面区域，所述特别少的表面区域被构造成使得它们既不发射光也不反射光。因此，在第二光电子部件20的情况下，由于在第二光电子部件20的顶侧上吸收电磁辐射，所以在操作期间仅发生特别低的吸收损耗。

在第二光电子部件20的制造中，布置第二顶侧金属化物120可以在建立上绝缘层160之后以下面所说明的方式来实施：

首先，将光阻剂层布置在上绝缘层160上。第二光电子部件20的光电子半导体芯片300随后被操作成使得光电子半导体芯片300在其辐射发射面处发射电磁辐射，辐射发射面在顶侧301上的台面330的区域中。使光阻剂层的布置在光电子半导体芯片300的辐射发射面上方的一部分受到所述电磁辐射的照射。相反，光阻剂层的布置在上绝缘层160上的其它区域保持未受到照射。

在随后的处理步骤中，将光阻剂层的未受到照射部分去除，同时使光阻剂层的在光电子半导体芯片300的辐射发射面上方的受到照射部分保持在上绝缘层160上。

然后，使金属层沉积在光阻剂层的剩余残余物上并且沉积在上绝缘层160的未覆盖部分上。最后，在剥离过程（lift-offprocess）中，将光阻剂层的剩余部分和金属层布置在其上的部分去除。于是，金属层保持在上绝缘层160上的部分形成第二顶侧金属化物120。

因为在所描述的方法中，借助于光电子半导体芯片300在其辐射发射面处所发射的电磁辐射来实施对光阻剂层的照射，所述所描述的方法导致第二顶侧金属化物120中的开孔与光电子半导体芯片300的辐射发射面自动精确地对准。

图4示出了第三光电子部件30的示意性截面侧视图。第三光电子部件30大部分对应于图1和2中的第一光电子部件10并且大部分对应于图3中的第二光电子部件20。对应的零部件在图4中被设置有与在图1-3中相同的附图标记。第三光电子部件30可以根据参考图1和2所说明的用于制造第一光电子部件10的方法或者根据参照图3所说明的用于制造第二光电子部件20的方法来制造，其中，应考虑到下面所说明的特殊特征。

在第三光电子部件30的情况下，第二顶侧金属化物120形成为沿垂直于复合主体100的顶侧101的方向具有大的厚度。这可以例如通过对第二顶侧金属化物120的加厚或电解制造来实现。

第二顶侧金属化物120包括在光电子半导体芯片300的辐射发射面的区域中的开孔。在这种情况下，第二顶侧金属化物120完全地界定光电子半导体芯片300的辐射发射面。因此，第二顶侧金属化物120完全地围住界定区域170，在界定区域170中，辐射发射面被布置在光电子半导体芯片300的顶侧301上的台面330的区域中。第二顶侧金属化物120形成反射器，其围住界定区域170并且其可以导致对光电子半导体芯片300所发射的电磁辐射的聚焦。

波长转换材料600被布置在复合主体100的顶侧101上的第二顶侧金属化物120所完全界定的区域170中。波长转换材料600可以包括例如基质材料以及嵌入到该基质材料中的波长转换颗粒。基质材料可以包括例如硅酮。波长转换材料600可以例如借助于计量法（meteringmethod）已经被布置在界定区域170中。

提供波长转换材料600来将光电子半导体芯片300所发射的电磁辐射至少部分地转换成不同波长的电磁辐射。举例来说，波长转换材料600可以被构造成将包括蓝或紫外光谱范围的波长的电磁辐射转换成包括黄色光谱范围的波长的电磁辐射。经转换和未经转换的电磁辐射的混合可以包括例如白色效果。

已经基于优选的示例性实施例更详细地说明并描述了本发明。然而，本发明并不局限于所公开的示例。更确切地说，在不偏离本发明的保护范围的情况下，本领域技术人员可以从所公开的示例中导出其它变体。

附图标记的列表

10第一光电子部件

20第二光电子部件

30第三光电子部件

100复合主体

101顶侧

102底侧

110第一顶侧金属化物

120第二顶侧金属化物

130第一底侧金属化物

140第二底侧金属化物

150下绝缘层

160上绝缘层

170界定区域

200模制主体

201顶侧

202底侧

300光电子半导体芯片

301顶侧

302底侧

310第一电接触件

320第二电接触件

330台面

340边缘区域

350渣屑毛刺

400贯通接触件

401顶侧

402底侧

500保护二极管

501顶侧

600波长转换材料