技术特征：
技术总结
基底(5)上的薄膜太阳能电池阵列的太阳能电池装置；每个太阳能电池均通过底电极(6)、光伏活性层(7)、顶电极(8)和绝缘层(9)进行分层堆积。第一沟槽(10A)和在第一侧与第一沟槽平行的第二沟槽(11A)分离第一太阳能电池和相邻的第二太阳能电池。使用绝缘材料填充第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽延伸至基底。第二沟槽延伸至顶电极下面的光伏活性层中。延伸至底电极的第三沟槽位于第一沟槽与第二沟槽之间。延伸至顶电极的第四沟槽位于第一沟槽的第二侧处。使用导电材料填充第三沟槽和第四沟槽。导电桥接件(16)横跨第一沟槽连接第三沟槽和第四沟槽。
技术研发人员：约翰·博斯曼;崔斯特瑞姆·布德尔
受保护的技术使用者：荷兰能源研究中心基金会
技术研发日：2015.12.17
技术公布日：2017.09.26