技术总结
本发明公开了一种提高PZT铁电薄膜负电容的方法。本发明包括以下步骤：①前驱体溶液的配置：配置不同锆钛比的Pb(Zr1‑xTix) O3溶液；②用溶胶‑凝胶法制得PZT铁电薄膜电容器；③对PZT铁电薄膜电容器进行电学性能分析。本发明通过分析锆钛比对PZT铁电薄膜电容器电学性能的影响，得到提高PZT铁电薄膜负电容的最佳比率。本发明提出了一种提高PZT铁电薄膜负电容的有效方法，对低电压、低功耗MOS结构场效应晶体管的设计具有非常重要的指导意义。
技术研发人员：肖永光;王江;马东波;唐明华
受保护的技术使用者：湘潭大学
文档号码：201610110669
技术研发日：2016.02.29
技术公布日：2017.12.08