技术特征：
技术总结
本发明公开了一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及其制作方法，所述结构包括硅衬底、碳掺杂GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、绝缘栅介质层、栅电极、介质钝化层、源端肖特基‑欧姆混合电极以及漏端欧姆电极。在硅衬底上外延生长AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成绝缘栅介质层、有源区、源漏欧姆接触以及栅金属之后，形成源端肖特基‑欧姆混合电极。肖特基接触结构对高压起到了一定的屏蔽作用，减少了从源端经由器件沟道势垒层或者缓冲层注入到漏端的电流，进而提高了器件的关态击穿电压。本发明实现方法简单，大幅度提高GaN HEMT的击穿电压，拓宽其在功率开关领域中的应用。
技术研发人员：王茂俊;陶明;郝一龙
受保护的技术使用者：北京大学
技术研发日：2016.03.03
技术公布日：2017.09.12