技术特征：
技术总结
本发明提供一种互补纳米线半导体器件及其制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有NMOS有源区域、PMOS有源区域及浅沟槽隔离区域；在NMOS有源区域和PMOS有源区域上选择性外延生长锗晶体材料，以形成第一多边体外延线；选择性蚀刻衬底，使该第一多边体外延线悬空于衬底上方；在NMOS有源区域上方的第一多边体外延线的周围区域选择性外延生长III-V族半导体晶体材料，以形成第二多边体外延线；沉积介电材料于第一多边体外延线及第二多边体外延线，介电材料覆盖第一多边体外延线及第二多边体外延线；及沉积导电材料于介电材料，以形成包围第一多边体外延线及第二多边体外延线的栅极电极，其中第一多边体外延线作为第一纳米线，第二多边体外延线作为第二纳米线。
技术研发人员：肖德元
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.03.03
技术公布日：2017.09.12