堆叠装配封装结构及芯片、芯片级封装芯片、电子设备的制作方法

本发明涉及半导体领域，特别涉及芯片的封装技术。

背景技术：

现在的芯片封装设计生产中，为了追求更高的芯片性能，更小的基板面积，通常采用堆叠装配pop(packageonpackage)封装技术。

当前，pop封装芯片的封装方式为：将pop封装芯片放置在下方，通过pop封装芯片顶部的锡球或者铜柱与放置于pop封装芯片上方的芯片经过回流焊焊接到一起，从而完成整体芯片的组装封装。然而，在现有技术中，pop封装芯片在与上方的芯片焊接在一起的过程中，通常会由于各自的翘曲形变，造成整体芯片报废的情况。并且，整体芯片在封装完成之后的维修也较为困难，需要通过再次加热，使连接两个芯片的锡球重新化开后，取下损伤的那个芯片，操作较为繁琐，且在此过程中，也极易造成另一个未损坏的芯片被损伤。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种堆叠装配封装结构及芯片、芯片级封装芯片、电子设备，简化了芯片堆叠装配封装的生产操作步骤，并使得芯片在堆叠装配封装时的组装较为方便，且易于维修时的拆装。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种堆叠装配封装结构，包含：第一芯片以及第二芯片；第一芯片的基板底面的接点位置设有导电插件；第二芯片设有用于插入导电插件的插件连接部；第一芯片与第二芯 片通过导电插件与插件连接部进行电性连接。

本发明的实施方式还提供了一种电子设备，包含：电路板以及上述的堆叠装配封装结构；堆叠装配封装结构与电路板电性接触。

本发明的实施方式还提供了一种芯片级封装芯片，包含：芯片本体；芯片本体的基板底面的接点位置设有导电插件。

本发明的实施方式还提供了一种堆叠装配pop封装芯片，包含：芯片本体；芯片本体设有用于插入导电插件的插件连接部；芯片本体的基板底面的接点位置设有导电插件。

本发明实施方式相对于现有技术而言，堆叠装配封装结构包含：第一芯片以及第二芯片；第一芯片的基板底面的接点位置设有导电插件；第二芯片设有用于插入导电插件的插件连接部；第一芯片与第二芯片通过导电插件与插件连接部进行电性连接。通过这种方式，从而可以将第一芯片插设在第二芯片上，以实现两者之间的电性连接，使得芯片在堆叠装配封装时的组装较为方便，且易于维修时的拆装，并且与现有技术相比，去除掉了回流焊的过程，即简化了芯片堆叠装配封装的生产操作步骤。

另外，导电插件为插针，插件连接部为插孔。即，堆叠装配封装结构为可插拔式的封装结构，组装维修较为方便。

另外，导电插件焊接于第一芯片的基板底面，操作较为简单便捷，且可行性较高。

另外，第二芯片的基板底面的接点位置设有导电插件。这样，在将堆叠装配封装结构安装到电子设备中的电路板上时，可以通过第二芯片上的导电插件直接将第二芯片插入电路板中，以实现电性连接，从而使得堆叠装配封装结构的安装操作更加的简单便捷。

另外，插件连接部设于第二芯片的模具树脂，操作较为简单便捷，且 可行性较高。

另外，导电插件对称设置于第一芯片中位于裸芯片两侧的基板底面的接点位置，以使得第一芯片与第二芯片的连接较为稳固。

附图说明

图1是根据本发明第一实施方式中的一种堆叠装配封装结构的结构示意图；

图2是根据本发明第一实施方式中的第一芯片的结构示意图；

图3是根据本发明第一实施方式中的第二芯片的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。

本发明的第一实施方式涉及一种堆叠装配封装结构，如图1所示。堆叠装配封装结构包含：第一芯片以及第二芯片(第一芯片的具体结构参照图2所示，第二芯片的具体结构参照图3所示)。本实施方式中的第一芯片选择为芯片级封装的存储芯片，第二芯片为堆叠装配pop封装的应用处理器ap和基带处理器bb二合一的集成单芯片，以便于进行叙述，然在此并不以此为限。

参照图1所示，堆叠装配封装结构为：第一芯片的基板11底面的接点位置设有导电插件12，第二芯片设有用于插入导电插件12的插件连接部24， 第一芯片与第二芯片通过导电插件12与插件连接部24进行电性连接，第二芯片的基板21底面的接点位置设有导电插件22。

其中，导电插件12焊接于第一芯片的基板11底面，以使得导电插件12与第一芯片连接牢靠，且操作较为简单方便。

本实施方式中，导电插件12为插针，插件连接部24为插孔，插孔直接设置在第二芯片的模具树脂23中，即，堆叠装配封装结构为可插拔式的封装结构，从而便于工作人员的组装与维修。其中，插孔的设置方式可以是：直接在第二芯片的模具树脂23中对应于电性连接部的位置设有开口，并露出电性连接部，从而使得第一芯片能够通过导电插件12插入插孔的方式，实现与第二芯片的电性连接。当然，在实际操作时，为进一步的保证第一芯片与第二芯片接触良好，可以在开口的内壁刷有一层导电体，如电镀cu等导体材料；或者，插件连接部24可以为中空的金属管(直径小于0.25mm)，工作人员可以将金属管直接焊接在芯片基板上，也可以将金属管固定在第二芯片的模具树脂23中，从而使得第一芯片的导电插件12直接插入金属管中时，即可实现第一芯片与第二芯片两者之间的电性接触。

值得一提的是，本实施方式中，导电插件12对称设置于第一芯片中位于裸芯片13两侧的基板11底面的接点位置，以使得第一芯片与第二芯片的连接较为稳固。

不难看出，本实施方式中，可以将第一芯片插设在第二芯片上，以实现两者之间的电性连接，使得芯片在堆叠装配封装时的组装较为方便，且易于维修时的拆装，并且与现有技术相比，去除掉了回流焊的过程，即简化了芯片堆叠装配封装的生产操作步骤。

本发明的第二实施方式涉及一种电子设备，包含：电路板以及第一实施方式中所描述的堆叠装配封装结构，堆叠装配封装结构与电路板电性接触。

本实施方式中的电子设备以手机等智能移动终端为例进行说明，第一芯 片为芯片级封装的存储芯片；第二芯片为堆叠装配pop封装的应用处理器ap和基带处理器bb二合一的集成单芯片。这样，在表面贴装技术smt(surfacemounttechnology)贴片组装的过程中，先将上述的集成单芯片插入到电子设备的电路板中，并与电路板电性连接，然后将上述的存储芯片插入到集成单芯片上，以实现整个电路的连通。

不难看出，上述的装配方法操作较为简单方便，并且，在设备维修时，可以直接将存储芯片取下，或者取下集成单芯片，不需要加热处理，尽可能的减小了维修时对芯片造成损伤的可能。

本发明的第三实施方式涉及一种芯片级封装芯片，包含：芯片本体。芯片本体的基板底面的接点位置设有导电插件。

不难看出，本实施方式中的芯片级封装芯片即为第一实施方式中的第一芯片。本实施方式中的芯片级封装芯片可以是芯片级封装的存储芯片。

本发明的第四实施方式涉及一种堆叠装配pop封装芯片，包含：芯片本体。芯片本体设有用于插入导电插件的插件连接部，芯片本体的基板底面的接点位置设有导电插件。

不难看出，本实施方式中的堆叠装配pop封装芯片即为第一实施方式中的第二芯片。本实施方式中的堆叠装配pop封装芯片可以是堆叠装配pop封装的应用处理器ap和基带处理器bb二合一的集成单芯片。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。