1.一种鳍式场效应晶体管FinFET，包括：
在衬底上形成的鳍；
在衬底上形成的与鳍相交的栅堆叠；
在栅堆叠的侧壁上形成的栅侧墙，其中，栅侧墙包括电介质材料和负电容材料二者。
2.根据权利要求1所述的FinFET，其中，栅侧墙包括在栅堆叠的一部分侧壁上形成的电介质材料层以及在栅堆叠的另一部分侧壁上形成的负电容材料层。
3.根据权利要求2所述的FinFET，其中，所述一部分侧壁相对于所述另一部分侧壁更靠近衬底，或反之亦然。
4.根据权利要求3所述的FinFET，其中，栅侧墙位于鳍顶面上方的部分均由负电容材料构成，而栅侧墙的其余部分在下部由电介质材料构成而上部由负电容材料构成。
5.根据权利要求1所述的FinFET，还包括：在栅堆叠顶部形成的负电容材料层。
6.根据权利要求5所述的FinFET，其中，栅堆叠中的栅电极相对于栅侧墙的顶端向着衬底一侧凹入，且在栅堆叠顶部形成的负电容材料层填充该凹入。
7.根据权利要求1所述的FinFET，还包括：
分别在鳍的相对两端形成的源区和漏区；以及
分别到源区和漏区的接触部。
8.根据权利要求7所述的FinFET，其中，接触部至少部分地由栅侧墙限定边界。
9.根据权利要求7所述的FinFET，其中，电介质材料和负电容材料在接触部与栅堆叠中的栅电极之间导致的总电容小于栅侧墙完全由电介质材料的情况下所导致的电容，且大于零。
10.根据权利要求1所述的FinFET，其中，负电容材料是含Hf、Zr、Ba或Sr的材料。
11.根据权利要求10所述的FinFET，其中，负电容材料包括HfZrO2、BaTiO3、KH2PO4或NBT或其任意组合。
12.一种制造鳍式场效应晶体管FinFET的方法，包括：
在衬底上形成鳍；
在衬底上形成与鳍相交的栅堆叠；以及
利用电介质材料和负电容材料二者，在栅堆叠的侧壁上形成栅侧墙。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成栅侧墙包括：
在栅堆叠的一部分侧壁上利用电介质材料形成一部分栅侧墙；以及
在栅堆叠的另一部分侧壁上利用负电容材料形成另一部分栅侧墙。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
形成所述一部分栅侧墙包括：
沿栅堆叠的侧壁，利用电介质材料形成预备侧墙；以及
去除该预备侧墙的上部的一定高度，得到所述一部分栅侧墙，形成所述另一部分栅侧墙包括：
在所述一部分栅侧墙上，利用负电容材料形成所述另一部分栅侧墙。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，去除预备侧墙的上部的一定高度包括：
在衬底上形成遮蔽层，该遮蔽层露出所述高度的预备侧墙，而遮蔽预备侧墙的其余部分；以及
通过选择性刻蚀，去除预备侧墙的露出部分。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成遮蔽层包括：
在衬底上淀积遮蔽材料，并对所淀积的遮蔽材料进行平坦化处理，其中，平坦化处理停止于栅堆叠顶部；以及
对平坦化后的遮蔽材料进行回蚀，以露出所述高度的预备侧墙。
17.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在栅堆叠的顶部形成负电容材料层。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
使栅堆叠中的栅电极相对于栅侧墙的顶端向着衬底一侧凹入，其中，在栅堆叠的顶部形成负电容材料层填充该凹入。
19.根据权利要求12所述的方法，其中，在衬底上存在多个这种栅堆叠，该方法还包括：
通过在相邻栅堆叠的相对栅侧墙之间的空间内淀积导电材料，形成接触部。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，相邻的栅堆叠之一是伪栅堆叠。
21.一种电子设备，包括如权利要求1至11中任一项所述的FinFET形成的集成电路。
22.根据权利要求21所述的电子设备，还包括：与所述集成电路配合的显示器以及与所述集成电路配合的无线收发器。