技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及制造方法，包括：依次叠加在衬底上的GaN层、AlGaN层、以及开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层；栅极接触孔位于源极接触孔和漏极接触孔之间；AlGaN层设置有与栅极接触孔连通的凹槽，凹槽位于栅极接触孔的下方且靠近源极接触孔的一侧，凹槽的宽度小于栅极接触孔宽度的一半，凹槽的深度小于AlGaN层的厚度；源极和漏极分别包括填充源极接触孔和漏极接触孔的第一金属层，栅极包括填充凹槽和栅极接触孔的第二金属层。通过本发明提供的方案，能够优化器件的正向导通特性和反向耐压特性。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03