技术总结
本发明涉及半导体装置及制造其的方法。半导体装置包括半导体衬底、第一电容器和第二电容器。该第一电容器包括第一导电层、第一绝缘层和第二导电层。该第一导电层布置在该衬底上。该第一绝缘层布置在该第一导电层上且具有第一周缘。该第二导电层布置在该第一绝缘层上且具有第二周缘。该第二电容器包括第三导电层、第二绝缘层和该第二导电层。该第二绝缘层布置在该第二导电层上且具有第三周缘。该第三导电层布置在该第二绝缘层上且具有第四周缘。该第一、第二、第三和第四周缘彼此对齐。
技术研发人员：施旭强;谢盛祺;陈建桦;李德章
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
文档号码：201610242044
技术研发日：2016.04.19
技术公布日：2017.01.25