技术特征：
技术总结
本发明实施例提供一种超结功率器件的制作方法，该方法包括：提供衬底，并在所述衬底的表面上生长外延层；在所述外延层上制作第一P型柱和第二P型柱；在所述第一P型柱和所述第二P型柱的表面上进行离子注入，以降低所述第一P型柱和所述第二P型柱表面上的离子浓度，所述离子注入的深度小于所述第一P型柱和第二P型柱的深度；在所述第一P型柱和第二P型柱内制作源区，所述源区的深度大于所述离子注入的深度，小于所述第一P型柱和所述第二P型柱的深度；制作器件的栅氧化层、栅极、介质层以及金属层。本发明实施例提供的方法，能够避免传统工艺中由于高温驱入过程，所导致的P型柱与N型外延层之间的电荷不平衡问题，提高了器件的耐压性能。
技术研发人员：赵圣哲
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.05.04
技术公布日：2017.11.14