技术总结
本发明涉及一种MOSFET器件及端接结构，尤其涉及一种横向超级结MOSFET器件及端接结构，一种横向超级结MOSFET器件包括一个栅极结构、一个连接到横向超级结结构的第一立柱以及一个紧靠第一立柱的第二立柱。该横向超级结MOSFET器件包括第一立柱，当MOSFET接通时接收来自通道的电流，并将电流分配至横向超级结结构，用作漏极漂流区。位于第一立柱附近的第二立柱用于当MOSFET器件断开时，夹断第一立柱，防止MOSFET器件在漏极端承受的高电压接触栅极结构。在一些实施例中，横向超级结MOSFET器件还包括用于漏极、源极以及本体接触掺杂区梳的端接结构。
技术研发人员：马督儿·博德;管灵鹏;卡西克·帕德马纳班;哈姆扎·耶尔马兹
受保护的技术使用者：万国半导体股份有限公司
文档号码：201610420569
技术研发日：2016.06.13
技术公布日：2017.01.04