技术总结
本发明公开了一种生长多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构的方法，包括以下步骤：在硅片上注入硼离子以形成p阱；使用干法例子刻蚀机刻蚀隔离槽与多晶硅栅处的下凹槽；使用化学气相沉积的方式，在隔离区上淀积氧化硅填充隔离槽；使用化学机械抛光的方式，对步骤3所沉积的氧化硅进行抛光；在多晶硅栅的下凹槽处生长多晶硅栅；在多晶硅栅之上沉积100nm厚度的二氧化硅，并进行刻蚀，形成侧墙。注入坤离子，以形成源极和漏极。本发明所述的方法可在硅氧化栅的生长处设置有一个过刻蚀的下凹陷区，则硅氧化栅生长位置相对于源极和漏极处更靠下方，在相同的栅极尺寸下，栅极电压控制的灵敏度更大。
技术研发人员：吕耀安
受保护的技术使用者：无锡宏纳科技有限公司
文档号码：201610539885
技术研发日：2016.07.08
技术公布日：2016.11.16