1.一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳，其特征是射频引脚采用共面波导—垂直挂孔—共面波导的结构，通过在射频引脚两侧分布密集的接地孔，抑制高阶模式的传输，从而消除高频谐振，腔体中芯片粘贴区设置阵列接地通孔，以增加射频引脚间的隔离度。
2.如权利要求1所述的一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳，其特征是还包含陶瓷件与焊接环。
3.如权利要求1所述的一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳，其特征是所述射频引脚包含6个，每个射频引脚的两侧均为接“地”引脚，剩余引脚则为直流馈电引脚。
4.如权利要求3所述的一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳，其特征是所述每个射频引脚的插入损耗小于0.3dB，电压驻波比小于1.4，不同射频引脚之间的隔离度大于40dB,指的是在DC-18GHz内。
5.如权利要求1所述的一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳，其特征是所述射频引脚有两条，射频引脚两侧是“地”平面，通过电磁场仿真软件HFSS仿真并优化射频信号线的宽度以及信号线与两侧“地”平面的间距，实现输入输出端口50欧姆的特征阻抗，从而获得较小的电压驻波比与插入损耗。
6.如权利要求5所述的一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳，其特征是所述的射频引脚的上下相邻层均设计为“地”平面，并通过垂直通孔相互连接，这种在信号线两侧及上下均有“地”平面的结构，能够抑制高频时电磁场向外辐射，使外壳工作到更高的频率，相邻射频引脚之间获得较高的隔离度。
7.如权利要求1所述的一种应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳，其特征是所述阵列接地通孔为7*7，阵列接地通孔连接芯腔与外壳背面“地”平面，阵列接地通孔一方面减小信号回流路径的阻抗，另一方面，增加了相对的两射频引脚之间的隔离度。
8.如权利要求1所述的陶瓷四边扁平无引脚型外壳的设计方法，其特征是包括如下步骤：
1）采用机加工法制备可伐封接环，并对其进行清洗、镀镍后待用；
2）采用低损耗陶瓷材料制作流延生瓷带，制作内部布线要满足氧化铝陶瓷件的要求，并对其镀镍后待用；
3）利用Ag-Cu焊料，将可伐封接环在800度左右的高温下焊接在陶瓷件的正面；
4）将上述钎焊半成品经过常规的电镀镍、金工艺制作形成一款应用于Ku波段的陶瓷四边扁平无引脚型外壳。
9.如权利要求8所述的陶瓷四边扁平无引脚型外壳的设计方法，其特征是所述的流延生瓷带被切割成统一尺寸后进行预压，其预压压力0.1kpsi、预压时间180S；将预压过的瓷带打孔，打孔分为激光打孔与机械打孔，将激光打孔过的瓷带利用丝网印刷工艺进行填孔与印刷；将印刷过的几张生瓷带进行叠片，并在温度（75℃）与压力（0.5kpsi）的作用下层压为一体；用生切机将层压为一体的几张瓷带切割为若干个单个产品；最后在烧结炉内按升温曲线将切好的单个产品烧为熟瓷，所述的升温曲线是从第一温区至第十二温区温度从380℃升至1600℃，恒温一个温区，从第十三温区至第十六温区温度从1600℃下降至1200℃。