1.一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺，其特征在于：
步骤一、在衬底上生成第一N-GaN层；
步骤二、在第一N-GaN层上形成两个以上的具有等腰梯形截面的光阻层，各光阻层并列且相互独立；
步骤三、在光阻层的两侧蒸镀上DBR阻挡层，使DBR阻挡层在第一N-GaN层上与光阻层形成角度互补；
步骤四、用胶液去掉DBR阻挡层中间的光阻层，使相邻DBR阻挡层之间形成间隙；
步骤五、在第一N-GaN层上方的各个间隙内依次向上依次外延生长第二N-GaN层、有源层以及P-GaN层，所述依次生长的第二N-GaN层、有源层以及P-GaN层与它们两侧的DBR阻挡层形成角度互补；
步骤六、利用ICP刻蚀掉DBR阻挡层；
步骤七、在P-GaN层表面蒸镀一层镜面反射层，在其中一层镜面反射层的中间刻蚀出通孔，该通孔通向P-GaN层；
步骤八、在镜面反射层上蒸镀一层Barrier阻挡层，在具有通孔的镜面反射层上方的Barrier阻挡层也刻蚀出相对于的通孔；
步骤九、在第二N-GaN层、有源层以及P-GaN层的两侧以及Barrier阻挡层上方蒸镀一层保护层，在在通孔上方的保护层刻蚀出一P-Pad空间；
步骤十、在P-Pad空间中蒸镀上P-Pad层，P-Pad层通过通孔与P-GaN层连接，在不具有P-Pad空间的保护层上蒸镀N-Pad层，N-Pad层与第二N一GaN层连接。
2.如权利要求1所述的一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺，其特征在于：所述步骤二光阻层的形成方法是：先在第一N-GaN层上形成一层覆盖整个第一N-GaN层光阻，然后采用黄光光刻工艺显影掉无需保留的光阻，剩下并列且相互独立各光阻层。
3.如权利要求1所述的一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺，其特征在于：所述保护层为SiNx保护层。
4.如权利要求1所述的一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺，其特征在于：所述Barrier阻挡层、保护层、P-Pad层以及N-Pad层均采用CVD蒸镀形成。
5.如权利要求1所述的一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺，其特征在于：所述光阻层的等腰梯形截面的倾斜角度为45-60°。