1.一种可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，依次包括蓝宝石衬底(1)退火处理、生长低温GaN成核层(2)、生长高温GaN缓冲层(3)、生长非掺杂的U型GaN层(4)、生长N型GaN层(5)、生长多周期量子阱发光层(6)、生长P型AlGaN层(7)、生长GaN:Mg层组(8’)、生长P型GaN接触层(9)以及降温退火处理；
所述GaN:Mg层组(8’)的厚度为50-800nm，其包括周期性生长的1-80个GaN:Mg单层(8.1’)；所述GaN:Mg单层(8.1’)包括第一GaN:Mg层和第二GaN:Mg层，所述GaN:Mg单层(8.1’)的生长过程具体是：控制温度为750℃-850℃，通入TMGa和Cp2Mg，生长厚度为5-50nm的第一GaN:Mg层；升温至850℃-1000℃，生长厚度为5-50nm的第二GaN:Mg层。
2.根据权利要求1所述的可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，蓝宝石衬底(1)退火处理具体为：将蓝宝石衬底(1)在氢气气氛里进行退火，清洁衬底表面，温度为1050-1150℃；
生长低温GaN成核层(2)具体为：将温度下降到500-620℃，通入NH3和TMGa，生长厚度为20-40nm的低温GaN成核层(2)，生长压力为400-650Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比为500-3000。
3.根据权利要求1所述的可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，生长高温GaN缓冲层(3)具体为：低温GaN成核层(2)生长结束后，停止通入TMGa，进行原位退火处理，退火温度升高至1000-1100℃，退火时间为5-10min；退火之后，将温度调节至900-1050℃，继续通入TMGa，外延生长厚度为0.2-1um的高温GaN缓冲层(3)，生长压力为400-650Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比为500-3000。
4.根据权利要求1所述的可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，生长非掺杂的U型GaN层(4)具体为：高温GaN缓冲层(3)生长结束后，通入NH3和TMGa生长厚度为1-3um的非掺杂的U型GaN层(4)，生长温度为1050-1200℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比为300-3000。
5.根据权利要求1所述的可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，生长N型GaN层(5)具体为：非掺杂的U型GaN层(4)生长结束后，通入NH3、TMGa和SiH4，生长厚度为2-4um的N型GaN层(5)，生长温度为1050-1200℃，生长压力为100-600Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比为300-3000，Si掺杂浓度为8E18-2E19atom/cm3。
6.根据权利要求1所述的可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，生长多周期量子阱发光层(6)具体为：N型GaN层(5)生长完成后生长多周期量子阱发光层(6)，所用MO源为TMIn、TEGa，N型掺杂剂为硅烷；多周期量子阱发光层(6)由5-15个周期的InyGa1-yN/GaN阱垒结构组成，其中量子阱InyGa1-yN层的厚度为2-5nm，y＝0.1-0.3，生长温度为700-800℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比为300-5000；其中GaN垒层的厚度为8-15nm，生长温度为800-950℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比为300-5000，Si组分摩尔配比为0.5％-3％。
7.根据权利要求1所述的可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，生长P型AlGaN层(7)具体为：多周期量子阱发光层(6)生长结束后，生长厚度为50-200nm的P型AlGaN层(7)，所用MO源为TMAl、TMGa及Cp2Mg；生长温度为900-1100℃，生长时间为3-10min，压力在20-200Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比为1000-20000，Al的摩尔组分为10％-30％，Mg的摩尔组分为0.05％-0.3％。
8.根据权利要求1所述的可提高光效的LED外延片生长方法，其特征在于，生长P型GaN接触层(9)具体为：GaN:Mg层组(8’)生长结束后，生长厚度为5-20nm的P型GaN接触层(9)，所用MO源为TMGa和Cp2Mg；生长温度为850-1050℃，生长压力为100-500Torr，Ⅴ/Ⅲ摩尔比为1000-5000；
降温退火处理具体为：外延生长结束后，将反应室的温度降至650-800℃，采用纯氮气氛围进行退火处理5-10min，然后降至室温，结束生长。
9.一种如权利要求1-8任意一项所述方法得到的可提高光效的LED外延片，其特征在于，包括从下往上依次层叠的蓝宝石衬底(1)、低温GaN成核层(2)、高温GaN缓冲层(3)、非掺杂的U型GaN层(4)、N型GaN层(5)、多周期量子阱发光层(6)、P型AlGaN层(7)、GaN:Mg层组(8’)以及P型GaN接触层(9)；
所述GaN:Mg层组(8’)的厚度为50-800nm，其包括1-80个GaN:Mg单层(8.1’)；所述GaN:Mg单层(8.1’)包括第一GaN:Mg层和第二GaN:Mg层。
10.根据权利要求9所述的可提高光效的LED外延片，其特征在于，
所述低温GaN成核层(2)的厚度为20-40nm；
所述高温GaN缓冲层(3)的厚度为0.2-1um；
所述非掺杂的U型GaN层(4)的厚度为1-3um；
所述N型GaN层(5)的厚度为2-4um；
所述多周期量子阱发光层(6)为由5-15个周期的InyGa1-yN/GaN阱垒组成的结构，单个InyGa1-yN/GaN阱垒包括厚度为2-5nm的InyGa1-yN层和厚度为8-15nm的GaN垒层，其中y＝0.1-0.3；
所述P型AlGaN层(7)的厚度为50-200nm；
所述P型GaN接触层(9)的厚度为5-20nm。