闪存器件制造方法与流程

技术特征：

1.一种闪存器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅多晶硅层和掩膜层；

刻蚀所述掩膜层、浮栅多晶硅层、浮栅氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充满绝缘介质材料，并平坦化所述绝缘介质材料表面以使其与掩膜层表面齐平，形成浅沟道隔离结构；

测量所述浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度，并依据所述台阶高度对所述半导体衬底表面上方相应区域的浅沟槽隔离结构进行相应程度的回刻蚀。

2.如权利要求1所述的闪存器件制造方法，其特征在于，所述掩膜层为氮化硅层或氮氧化硅层。

3.如权利要求1所述的闪存器件制造方法，其特征在于，在所述浅沟槽中填充满绝缘介质材料之前，先在所述浅沟槽内部生长一层衬氧化层。

4.如权利要求1所述的闪存器件制造方法，其特征在于，平坦化所述绝缘介质材料表面时，还去除了一定厚度的掩膜层。

5.如权利要求1所述的闪存器件制造方法，其特征在于，所述浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度越大，对所述浮栅多晶硅层上方的浅沟槽隔离结构进行回刻蚀的深度越深。

6.如权利要求1所述的闪存器件制造方法，其特征在于，所述浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度与对所述浮栅多晶硅层上方的浅沟槽隔离结构进行回刻蚀的深度成线性递增关系。

7.如权利要求5或6所述的闪存器件制造方法，其特征在于，所述浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度为时，对所述浮栅多晶硅层上方的浅沟槽隔离结构进行回刻蚀的深度为

8.如权利要求7所述的闪存器件制造方法，其特征在于，所述浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度为时，对所述浮栅多晶硅层上方的浅沟槽隔离结构进行回刻蚀的深度为所述浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度为时，对所述浮栅多晶硅层上方的浅沟槽隔离结构进行回刻蚀的深度为所述浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度为时，对所述浮栅多晶硅层上方的浅沟槽隔离结构进行回刻蚀的深度为所述浅沟道隔离结构位于所述半导体衬底表面上方的台阶高度为时，对所述浮栅多晶硅层上方的浅沟槽隔离结构进行回刻蚀的深度为

9.如权利要求1所述的闪存器件制造方法，其特征在于，依据所述台阶高度对所述半导体衬底表面上方相应区域的浅沟槽隔离结构进行相应程度的回刻蚀之后，去除所述掩膜层以及所述半导体衬底上部分区域的浮栅多晶硅层、浮栅氧化层，露出所述部分区域的有源区表面，并在所述部分区域的有源区表面上依次形成隧穿氧化层和字线多晶硅层。

10.如权利要求9所述的闪存器件制造方法，其特征在于，去除所述掩膜层以及所述半导体衬底上部分区域的浮栅多晶硅层、浮栅氧化层，露出所述部分区域的有源区表面，并在所述部分区域的有源区表面上依次形成隧穿氧化层和字线多晶硅层的过程包括：

去除所述掩膜层，在所述浮栅多晶硅层上形成浮栅介质层，并刻蚀所述浮栅介质层，以在所述浮栅介质层中形成暴露出所述浮栅多晶硅层表面的第一侧墙开口；

在所述第一侧墙开口的侧壁形成第一侧墙，并以所述第一侧墙为掩膜，继续刻蚀所述第一侧墙开口底部的浮栅多晶层和浮栅氧化层，以在浮栅多晶层和浮栅氧化层中形成暴露出所述半导体衬底表面的第二侧墙开口；

在所述第二侧墙开口的侧壁形成第二侧墙，并在所述第一侧墙开口和第二侧墙开口中填充源线多晶硅层，所述源线多晶硅层的上表面不高于所述第一侧墙的顶部，所述源线多晶硅层底部的半导体衬底内设有源区；

去除所述第一侧墙远离所述源线多晶硅层的侧壁外侧的半导体衬底表面的浮栅氧化层、浮栅多晶硅以及浮栅介质层，以暴露出所述第一侧墙远离所述源线多晶硅层的侧壁外侧的有源区表面；

在所述第一侧墙远离所述源线多晶硅层的侧壁外侧暴露出的有源区表面上依次形成隧穿氧化层和字线多晶硅层，且所述字线多晶硅层与浮栅多晶硅层、源线多晶硅层及与半导体衬底之间均通过所述隧穿氧化层相互隔离；

在所述字线多晶硅层远离所述源线多晶硅层的侧壁上形成字线侧墙，所述字线侧墙下方远离所述源线多晶硅层的半导体衬底内设有漏区。