1.一种高磁场下微型潘宁离子源的引出结构，包括设置在潘宁离子源的阳极筒(1)侧面上的阳极筒引出缝(4)和靠近所述阳极筒引出缝(4)设置的引出电极(2)，所述引出电极(2)上的引出电极缝口(3)对应所述阳极筒引出缝(4)，当所述引出电极(2)上加载高频电压后能够通过所述电极缝口(3)将所述阳极筒(1)内的等离子体从所述阳极筒引出缝(4)引出，其特征是：所述阳极筒引出缝(4)设置在所述阳极筒(1)的引出壁(5)上，所述引出壁(5)的厚度小于所述阳极筒(1)的其他位置厚度；所述阳极筒引出缝(4)长6mm-10mm，宽0.5mm，设有特定角度的张角；所述电极缝口(3)长6mm-10mm，宽0.5mm；所述阳极筒引出缝(4)、电极缝口(3)的长度保持一致。
2.如权利要求1所述的引出结构，其特征是：所述张角为30度-45度。
3.如权利要求1所述的引出结构，其特征是：所述引出壁(5)的厚度为0.12mm。
4.如权利要求1所述的引出结构，其特征是：所述阳极筒引出缝(4)与所述电极缝口(3)相距1.5mm。
5.如权利要求1所述的引出结构，其特征是：所述阳极筒(1)采用钨铜合金制作。
6.如权利要求1所述的引出结构，其特征是：所述引出电极(2)采用无氧铜制作。
7.如权利要求1所述的引出结构，其特征是：所述引出电极(2)上加载的所述高频电压为14kV。