1.一种微型表面贴装半导体整流器件，包括位于环氧封装体（12）内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和二极管芯片（4），该第一引线条（1）一端是与二极管芯片（4）连接的支撑区（5），所述二极管芯片（4）一端通过焊锡膏与该支撑区（5）电连接，第一引线条（1）另一端是第一引脚区（61），该第一引线条（1）的第一引脚区（61）作为整流器的电流传输端；所述连接片（3）两端分别为第一焊接端（31）和第二焊接端（32）；所述第二引线条（2）一端是与所述连接片（3）的第一焊接端（31）连接的焊接区（7），该第二引线条（2）另一端为第二引脚区（62），该第二引线条（2）的第二引脚区（62）作为整流器的电流传输端；所述连接片（3）第二焊接端（32）与二极管芯片（4）另一端通过焊锡膏电连接；所述二极管芯片（4）包括表面设有重掺杂N型区（42）的重掺杂P型单晶硅片（41），此重掺杂N型区（42）与重掺杂P型单晶硅片（41）接触，重掺杂N型区（42）四周设有沟槽（44），此沟槽（44）位于重掺杂P型单晶硅片（41）和重掺杂N型区（42）四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片（41）的中部；所述沟槽（44）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（45），此绝缘钝化保护层（45）由沟槽（44）底部延伸至重掺杂N型区（42）表面的边缘区域，重掺杂P型区（41）表面覆盖有作为电极的第二金属层（47）；其特征在于，靠近所述绝缘钝化保护层（45）内侧的重掺杂N型区（42）区域开有一U形凹槽（48），此重掺杂N型区（42）下表面且位于U形凹槽（48）正下方设有一向下的凸起部（43），裸露出的所述重掺杂N型区（42）和U形凹槽（48）的表面覆盖作为电极的第一金属层（46）；所述连接片（3）的第二焊接端（32）为由若干个波峰面（13）和波谷面（14）交替排列组成的波浪形表面，该波浪形表面通过焊锡膏层（15）与二极管芯片（4）电连接，所述连接片（3）的波浪形表面末端位于U形凹槽（48）正上方；所述环氧封装体（12）底部设有一条形凸起绝缘部（16），此条形凸起绝缘部（16）位于第一引线条（1）的第一引脚区（61）与第二引线条（2）的第二引脚区（62）之间，位于条形凸起绝缘部（16）的两侧表面和下表面分别设有第一弧形凹陷区（17）、第二弧形凹陷区（18）和第三弧形凹陷区（19），第一弧形凹陷区（17）和第二弧形凹陷区（18）分别与第一引线条（1）的第一引脚区（61）和第二引线条（2）的第二引脚区（62）相对设置；所述环氧封装体（12）的上表面设有凹陷区（20），此凹陷区位于二极管芯片（4）正上方。
2.根据权利要求1所述的微型表面贴装半导体整流器件，其特征在于：所述第一引线条（1）的支撑区（5）与第一引脚区（61）之间区域设有一第一折弯处（9），从而使得第一引线条（1）的支撑区（5）低于第一引脚区（61）；所述第二引线条（2）的焊接区（7）与第二引脚区（62）之间区域设有一第二折弯处（10），从而使得第二引线条（2）的焊接区（7）低于第二引脚区（62）；所述连接片（3）的第一焊接端（31）和第二焊接端（32）之间设有第三折弯处（11），从而使得第一焊接端低于第二焊接端。
3.根据权利要求1所述的微型表面贴装半导体整流器件，其特征在于：所述第二引线条（2）的焊接区（7）两侧设有挡块。
4.根据权利要求1所述的微型表面贴装半导体整流器件，其特征在于：所述第二引线条（2）的焊接区（7）的面积大于所述第一焊接端（31）的面积。